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公开(公告)号：CN112103396A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011052262.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电致发光领域，公开了一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法，其发光层材料的组分满足A2(BEuX3)n‑1EuX4，其中，A为长链或含有苯环的有机阳离子或其组合；B为有机阳离子、碱金属离子中的一种或多种离子任意比例的组合；Eu为二价铕离子；X为Cl、Br、I中的一种或多种卤素离子任意比例的组合；n取大于1的任意值。本发明通过对发光层材料及其薄膜制备工艺进行改进，采用含有二价铕离子的有机‑无机杂化结构作为发光层材料，相应得到的p‑n结型电致蓝光薄膜器件，通过施加低场直流电可实现蓝光发射，其蓝光峰位标准(440nm‑470nm)，光谱稳定性好，半峰宽窄，辐射效率高；并且，器件结构简单，工艺简便，设备投入低，兼容现有的集成电路工艺，可实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN110395910B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910599683.X
申请日：2019-07-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光照明用发光材料领域，公开了一种用于激光照明的发光玻璃及其制备方法，其中发光玻璃包括硼硅酸盐玻璃基质，以及均匀分布在该硼硅酸盐玻璃基质内的Pb基钙钛矿纳米晶；其中，每100mol物质的量的硼硅酸盐玻璃基质中包括40～50mol的B2O3，20～30mol的SiO2，8～15mol的Na2O，以及12～20mol的SrO；掺入的Pb基钙钛矿纳米晶的物质的量为硼硅酸盐玻璃物质的量的0.1～5％。本发明通过对发光玻璃材料所采用的玻璃基质及掺杂纳米晶的细节组成、成分配比，制备方法的整体工艺流程设计、关键温度处理程序各阶段所采用的温度及处理时间等进行改进，能够同时实现激光照明用发光材料的高效和高稳定性，且避免发光饱和，并扩宽激光光源的选择。
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公开(公告)号：CN107299393B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710426889.3
申请日：2017-06-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多元钙钛矿材料及其制备与应用，其中该多元钙钛矿材料为多元全无机金属非铅卤盐，并且具有钙钛矿结构；所述多元钙钛矿材料的化学式满足：其中，0≤x≤1，0≤y≤1，A为Cs+，B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+，X为卤族元素。本发明通过对钙钛矿材料关键的化学元素的种类及配比等进行改进，与现有技术相比能够有效解决现有双钙钛矿种类少且不好调控、环境污染大的问题。
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公开(公告)号：CN119836030A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411798904.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种光电导器件的制备方法以及红外探测器，光电导器件的制备方法包括：将所述铅源前驱液和硒源前驱液进行混合的同时加入金属碘化物盐进行敏化，从而得到硒化铅溶液；利用所述硒化铅溶液在基底上生长硒化铅薄膜；在所述硒化铅薄膜上设置电极，从而制备得到光电导器件。该方法使用化学浴沉积技术制备硒化铅薄膜，在薄膜生长过程中原位加入金属碘化物盐的水溶液，延长了硒化铅薄膜生长的诱导期，使得硒化铅晶粒排布更加致密，减少了薄膜内部缺陷，使得掺杂浓度显著下降。原位敏化策略降低了晶界势垒，减少了晶界复合，使得暗电流下降，光响应显著提高。
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公开(公告)号：CN118466048A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410522167.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于可穿戴智能电子设备技术领域，公开了一种隐形眼镜显示结构及应用，包括第一光学调控层、微纳光源层、眼动跟踪系统层、第二光学调控层及第三光学调控层；微纳光源层中微纳光源面阵用于向第一光学调控层发射红外光和可见光；红外光和可见光经第一光学调控层依次进行准直和反射后，反射回的可见光经第二光学调控层调制后在视网膜上成像，从视网膜上反射回的红外光经第三光学调控层调制后在眼动跟踪系统层的眼动跟踪系统探测器上成像，并反馈给眼动跟踪系统的调制器，以改变第二光学调控层和第三光学调控层的调控参数，使得视网膜上成像完整且清晰，是一种高集成、智能化的隐形眼镜显示设备，兼具无感、智能、紧凑、便携、安全等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488596B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110741110.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce3+基卤化物电致发光器件，自上而下依次包括顶电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Ce3+基卤化物材料，其结构通式为AmCenXk，其中A为Na，K，Rb，Cs中的一种或多种，X为Cl，Br，I中的一种或多种，Ce的化学价态为+3，m+3n＝k；该类Ce基卤化物材料具有高效光致发光效率、优良的热稳定性和较短的激发态寿命，可用于电致发光器件。所述空穴传输层和电子传输层分别用于将空穴和电子注入到发光层中。该电致发光器件具有制备工艺简单、成本更低、毒性低的特点。
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公开(公告)号：CN114220922A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111370767.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于热蒸发制备钙钛矿材料领域，公开了一种原位钝化热蒸发钙钛矿材料的方法，该方法是在热蒸发钙钛矿的同时，在同一热蒸发装置中的另一蒸发源中同时蒸发钝化剂，将钝化剂引入钙钛矿材料中。如此利用钙钛矿和钝化剂的共蒸发，可实现热蒸发钙钛矿的原位钝化，即在钙钛矿晶体结构形成的过程中实时引入钝化官能团，实现钙钛矿体内、晶界、表面、界面等的全方位钝化，进而大大提升制得的钙钛矿薄膜的荧光量子产率；此外利用热蒸发方法引入钝化剂，该钙钛矿制备方法相同，设备兼容，工艺简单，可满足大面积大批量的热蒸发钙钛矿薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN112467044B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011256112.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种稀土电致深蓝光器件，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料，Eu基钙钛矿型材料中，Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位，且不含Pb；所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层，并调节电子和空穴的注入平衡。本发明通过使用Eu基钙钛矿型材料(如CsEuBr3)作为发光层材料构建稀土电致深蓝光器件，由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，能够拓宽现有显示的色域，解决OLED稳定性差、易老化容易导致蓝光色彩失真的技术问题。
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公开(公告)号：CN112467044A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011256112.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种稀土电致深蓝光器件，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料，Eu基钙钛矿型材料中，Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位，且不含Pb；所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层，并调节电子和空穴的注入平衡。本发明通过使用Eu基钙钛矿型材料(如CsEuBr3)作为发光层材料构建稀土电致深蓝光器件，由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，能够拓宽现有显示的色域，解决OLED稳定性差、易老化容易导致蓝光色彩失真的技术问题。
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公开(公告)号：CN112331704A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011162243.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于显示器技术领域，公开了一种钙钛矿显示面板及其制备方法，该显示面板的发光显示层同时使用绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料。本发明利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。
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