光学器件调整装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113176645A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110427392.X

    申请日:2021-04-20

    Abstract: 本公开提供了一种光学器件调整装置,包括:基座,适用于保持光学器件;第一调整机构,被构造成支撑基座、并驱动基座沿第一方向移动;第二调整机构,被构造成支撑第一调整机构、并驱动第一调整结构沿垂直于第一方向的第二方向移动;直立框架;以及第三调整机构,安装在直立框架上,并被构造成支撑第二调整机构、并驱动第二调整机构相对于直立框架沿垂直于第一方向和第二方向的第三方向移动。该光学器件调整装置用于加持光学器件,并能调整光学器件沿三个方向的直线移动自由度,上述光学器件调整装置的调节过程简单,三个方向的调整过程互不干扰,且实现了三个方向的解耦调整。

    一种基于空间分光的形貌测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111678460A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010564425.0

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于空间分光的形貌测量装置及方法。所述装置包括:沿光路顺次设置的照明模组、投影光栅模组、投影光学模组、探测光学模组、探测光栅模组、分光成像模组和数据采集模组;其中,在所述投影光学模组与所述探测光学模组之间的光学通路上设置待测样品,在所述探测光栅模组前设置偏振片和分光晶体,所述分光成像模组通过Wollaston棱镜实现分光。具有无差分信号时延、对测量装置内部热环境影响较小、后端解调电路简单等优点,有效降低测量装置对光强波动的敏感性。

    用于EUV真空环境中的光传输装置及光刻机

    公开(公告)号:CN110908249A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911212715.2

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 一种用于EUV真空环境中的光传输装置及光刻机,用于EUV真空环境中的光传输装置包括:光纤连接器,设置通孔;通光介质,设置于所述光纤连接器的通孔内;两光纤束,分别连接于所述光纤连接器的两侧,且两所述光纤束分别与所述通光介质的中心对准,实现分段的光纤束之间的光的传输。本发明设计两段光纤束来解决整根光纤束不利于装配、维护以及存在断纤的风险的问题;通过光纤连接器以及光纤连接器上设置的通光介质实现两段光纤束的导通,连接方式可靠,并且应用于EUV光刻机中,解决了真空腔内外光传输的问题,提高了光纤束与光刻机的连接可靠性,降低了维修风险。

    对焦传感器光学参数和硅片膜层工艺参数的分析优化方法

    公开(公告)号:CN119989627A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411915257.X

    申请日:2024-12-24

    Abstract: 本公开提供了对焦传感器光学参数和硅片膜层工艺参数的分析优化方法。方法包括:构建以对焦传感器光学参数和硅片膜层工艺参数作为输入,以高度工艺相关性误差作为输出的误差代理模型;构建训练数据集对误差代理模型进行训练,直至模型收敛;根据预设误差目标和参数寻优范围,利用误差代理模型对对焦传感器光学参数和硅片膜层工艺参数进行全局寻优,得到符合预设误差目标的最优参数集。本公开建立误差代理模型,在原理上高精度地逼近对焦传感器和硅片多膜层结构的物理模型,通过训练优化提升误差代理模型对真实情况的评估精度,结合参数寻优实现最优参数设计,不依赖于物理模型的解析计算,使参数分析优化过程具有更高的可实现性和更快的计算速度。

    一种反射式样品形貌测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111982020A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010526234.5

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 本发明提供了一种反射式样品形貌测量装置及方法。所述装置包括:顺次设置的照明组件、投影标记组件、投影光学组件、探测光学组件、探测标记组件、和数据采集组件;并在所述投影光学组件和所述探测光学组件之间的光路上设置待测样品。通过对投影光学组件和探测光学组件的优化设计,实现了成像质量高、结构紧凑、无色差、不需增加额外调整部件的成像光学系统,该装置及光学系统易于工程实现。

    硅片形貌图构建方法及装置
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118392067A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410399418.8

    申请日:2024-04-03

    Abstract: 本说明书实施例提供了一种硅片形貌图构建方法及装置,其中,方法包括:采集硅片表面高度,并沿工作台扫描方向进行平均化处理,绘制硅片高度图;基于所述硅片高度图,进行曝光狭缝区域的平面拟合,绘制硅片形貌图;基于所述硅片形貌图,计算硅片的曝光狭缝区域的拟合平面,并生成工件台垂向运动轨迹。本公开能够针对光刻设备静态曝光应用场景建立硅片表面的形貌图。

Patent Agency Ranking