一种高温超导纳米复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101747031A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810239963.1

    申请日:2008-12-16

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 本发明提供一种高温超导纳米复合薄膜的制备方法。首先配制前驱液,把Y(CH3COO)3、Ba(CH3COO)2和Cu(CH3COO)2按照1∶2∶3的摩尔比混合溶于20-30摩尔%三氟乙酸的水溶液中;搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶;再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶;随后加入甲醇和占三种金属总离子浓度的5%~8%mol的乙酰丙酮锆,制成前驱液。然后,将前驱液经旋涂或提拉方法,涂覆在直径为2英寸的单晶氧化物基体上。涂覆好的薄膜先经历400℃~410℃的低温热处理过程,分解三氟乙酸盐。最后经历800℃~850℃高温热处理和490℃~510℃的退火过程形成含有纳米锆酸钡的YBCO薄膜。

    金属基带上连续生长的多层立方织构隔离层的制备方法

    公开(公告)号:CN100537822C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200610089048.X

    申请日:2006-07-31

    Abstract: 一种金属基带上连续生长的多层立方织构氧化物隔离层,是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜。一种连续生长多层立方织构氧化物隔离层的制备方法,包括:(1)将金属基带清洁处理;(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上;(3)以Y金属为溅射靶材,预溅射;(4)使金属基带经过沉积区,溅射沉积氧化钇;(5)以Zr-Y金属为溅射靶材,预溅射;(6)使金属基带经过沉积区,溅射沉积钇稳定二氧化锆;(7)以金属Ce为溅射靶材,预溅射;(8)使金属基带经过沉积区,溅射沉积二氧化铈。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构,满足外延生长YBCO涂层的需要。

    一种复合氧化铝/铒阻氢涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN101469409A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200710304380.8

    申请日:2007-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种阻氢涂层及其制备方法,特别是含有Al2O3/Er2O3复合结构的阻氢涂层。该涂层包括依次布设的基体、金属过渡层和Al2O3/Er2O3复合涂层。基体可选用活化马氏体钢;金属过渡层可选用FeAl合金;复合涂层依照成分和结构的不同可分为:单层复合涂层以及多层梯度复合涂层两种形式,其中单层复合涂层是在金属过渡层上制备一层涂层,其组成为xAl2O3-(1-x)Er2O3,依0<x<100%的比例关系复合而成,多层梯度复合涂层由x值不同的多层组成为xAl2O3-(1-x)Er2O3(0≤x≤100%)的复合涂层构成。

    一种带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备

    公开(公告)号:CN101469405A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200710304553.6

    申请日:2007-12-28

    Abstract: 一种带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备,包括有:水箱,在该水箱的环壁内设有水夹层;筒状靶材,该筒状靶材的外环壁与水箱的内环壁紧密接触;加长型筒状阳极,其底壁设有若干个溅射气体进气孔,并配有阳极盖,在阳极盖上接有进气管路;数块磁体,该数块磁体围绕水箱的环壁的一周。加长筒型阳极采用无氧铜材料制成,水箱上的绝缘圈、阳极盖均为聚四氟乙烯材料绝缘制成。在制备复杂氧化物薄膜、特别是高温YBCO等稀土钡铜氧薄膜时,采用带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备可显著改善负氧离子轰击以及溅射物质堆积掉渣等负影响,有显著的改善薄膜生长质量、提高性能的作用。

    一种高温超导纳米复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101747031B

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN200810239963.1

    申请日:2008-12-16

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 本发明提供一种高温超导纳米复合薄膜的制备方法。首先配制前驱液,把Y(CH3COO)3、Ba(CH3COO)2和Cu(CH3COO)2按照1∶2∶3的摩尔比混合溶于20-30摩尔%三氟乙酸的水溶液中;搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶;再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶;随后加入甲醇和占三种金属总离子浓度的5%~8%mol的乙酰丙酮锆,制成前驱液。然后,将前驱液经旋涂或提拉方法,涂覆在直径为2英寸的单晶氧化物基体上。涂覆好的薄膜先经历400℃~410℃的低温热处理过程,分解三氟乙酸盐。最后经历800℃~850℃高温热处理和490℃~510℃的退火过程形成含有纳米锆酸钡的YBCO薄膜。

    一种校对真空设备温度的方法

    公开(公告)号:CN101762339B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200810246544.0

    申请日:2008-12-25

    Abstract: 本发明公开了属于真空设备温度校对技术领域的一种校对真空设备温度的方法。选择一种金属,制备标准试样,放置在加热器正中间,抽真空,加热,当标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;设定升温速率,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0;改变设备热电偶位置,设定升温速率,当标准试样熔化时读取热电偶示数T2;改变设备热电偶位置后,设备温度坐标平移T2-T0,热电偶读数为T时,对应原温度坐标下的温度T3=T-(T2-T0)。本发明利用晶体熔点固定这一晶体物理特性,通过测定晶体的熔点,提供一种准确校对真空设备温度的方法,可以避免每次严格重复热电偶的位置。

    一种在金属基带上连续制备YBCO超导层的方法

    公开(公告)号:CN101736296A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200810225973.X

    申请日:2008-11-07

    Abstract: 一种在金属基带上连续制备YBCO超导层的方法,包括:(1)在连续制备YBCO超导层的设备的真空腔体中,将带有隔离层的金属基带固定在不锈钢引带上;(2)以YBCO为靶材,靶基距为35~60mm;(3)在抽真空前调整激光光路,使激光聚焦于靶位,并位于金属基带正下方;(4)抽真空至真空腔体内的真空度优于3×10-4Pa,且将金属基带加热至750~820℃;再向真空腔体内通入氧气,并控制纯氧气氛为10~60Pa;(5)使金属基带匀速运动,用脉冲激光沉积方法在带有隔离层的金属基带上制备YBCO薄膜;(6)将制得有YBCO薄膜的金属基带进行原位退火,即在带有隔离层的金属基带上制成YBCO超导层。使用激光法制备的YBCO薄膜不仅有良好的织构和表面形貌,更有高的电性能,沉积速率可达到200nm/min。

    批量化制备双面高温超导薄膜装置

    公开(公告)号:CN100575540C

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200610112661.9

    申请日:2006-08-28

    Abstract: 一种批量化制备双面高温超导薄膜装置,其特点是:将多个基片均匀排布在圆盘形的样品台上,由主转动轴带动旋转,在加热真空腔体内旋转加热,对靶一次性溅射制备大面积双面高温超导薄膜。在加热真空腔体上下两面对称开有溅射口,上下溅射靶对称排布。真空室上下两面还对称放置金属电极靶材。加热腔体与辅转动轴连接,可以旋转溅射口的位置至金属靶材溅射位置,从而实现原位镀覆电极薄膜。主转动轴由无极变速电极带动,可控制旋转速率;加热腔体外壁及溅射靶体周围留有进气口,保证溅射区域及退火时腔体内气压均匀。利用本装置一次性可批量制备16片φ2英寸、12片φ3英寸的高性能双面高温超导薄膜,并可根据实际需要增大样品尺寸和增加样品数目。

    金属基带上连续生长的多层立方织构隔离层及制备方法

    公开(公告)号:CN101117700A

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200610089048.X

    申请日:2006-07-31

    Abstract: 一种金属基带上连续生长的多层立方织构氧化物隔离层,是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜。一种连续生长多层立方织构氧化物隔离层的制备方法,包括:(1)将金属基带清洁处理;(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上;(3)以Y金属为溅射靶材,预溅射;(4)使金属基带经过沉积区,溅射沉积氧化钇;(5)以Zr-Y金属为溅射靶材,预溅射;(6)使金属基带经过沉积区,溅射沉积钇稳定二氧化锆;(7)以金属Ce为溅射靶材,预溅射;(8)使金属基带经过沉积区,溅射沉积二氧化铈。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构,满足外延生长YBCO涂层的需要。

    多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法

    公开(公告)号:CN1630115A

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN200310121357.7

    申请日:2003-12-15

    Abstract: 一种多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法。隔离层结构包括种子层,阻挡层和帽子层。它主要为在立方织构金属镍表面,通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层,再在其上生长钇稳定二氧化锆(YSZ)阻挡层和二氧化铈CeO2帽子层。这种双轴取向隔离层结构用于高温超导涂层导体,可使YBCO涂层沿双轴取向生长,具有良好的超导电性,获得超导临界电流密度Jc>4×105A/cm2。该方法包括:将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理;在高温炉中恒温、氧化;采用真空沉积方法进行二氧化锆生长、CeO2生长、YBCO生长;进行YBCO退火而制成。该方法成本低,适宜大规模长带生产,制备手段易连续化。

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