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公开(公告)号：CN116524982A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310317754.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。
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公开(公告)号：CN116203381A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211058825.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于时间交织的高频信号单粒子瞬态检测方法，包括：在未辐照情况下，对待测电路输出进行时间交织高速采集，得到采样值D(t)，并计算得到对应时刻不含噪声的理想去噪值I(t)和噪声值Z(t)；对待测电路进行辐照试验，对待测电路输出的高频信号进行时间交织高速采集，得到采样值D′(t)；根据采样值D′(t)和对应时刻的噪声值Z(t)，计算得到对应时刻不含噪声的实际去噪值V(t)；根据V(t)与对应时刻的理想去噪值I(t)比较结果，确定对应时刻的单粒子瞬态的幅值和脉宽值；直到辐照试验结束，得到待测电路在重离子下的单粒子瞬态错误特征分布图。本发明有效提高了板级测试单粒子瞬态信号的脉宽精度和幅值精度，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN114974388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN107167725B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/3183
Abstract: 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107167725A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/3183
Abstract: 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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公开(公告)号：CN103675638B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310676366.6
申请日：2013-12-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种新型的通用动态总剂量试验装置，包括位于辐照室外的上位机和信号传递系统，位于辐照室内的测试向量生成系统，上位机向信号传递系统发送随机向量的码型，控制试验电路板的电源，监控待测电路的动态偏置电流，监测整个装置的运行状况；信号传递系统收上位机发送的随机选择码，同时将随机选择码转换为电平信号传递给测试向量生成系统，还接收测试向量生成系统发回的反馈信号，用于监测测试向量生成系统的运行状况；测试向量生成系统接收来自信号传递系统的信号并生成测试向量发送给试验电路板；该装置能够实现待辐照电路在辐照过程中处于动态偏置，从而实现动态总剂量试验，全面的考核器件的抗总剂量性能。
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公开(公告)号：CN104009758A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410188432.X
申请日：2014-05-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及数字模拟转换电路单粒子瞬态效应检测装置及其检测方法，本发明明确了不同类别单粒子瞬态效应需要捕获的特征参数，及其统计分析方法，开发相应的检测试验装置，可以连续不间断检测和捕获发生的单粒子瞬态效应及其特征参数，实时发回记录结果，并自动实现按效应类别的统计分析；该检测装置实现了单粒子瞬态效应信号的连续自动检测、捕获和数据分析，解决了目前单粒子瞬态效应试验装置人工记录导致试验暂停造成的人为误差，以及后续统计分析效率低下的问题，大大提高了试验结果的准确性，提高了测试效率并节约了人工成本，可以有效地考核评估器件抗单粒子瞬态效应能力。
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公开(公告)号：CN118410623A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410435691.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F30/15 , G06F18/2433 , G06F119/02
Abstract: 一种在轨错误率多模校验方法、介质及设备，属于空间环境工程和辐射效应技术领域，包括：确定单粒子截面模型；提取单粒子截面模型参数的关键参数，变换所述关键参数得到至少两个新值，所述关键参数的原值和新值分别与单粒子截面模型参数中的其他参数组合获得单粒子截面模型计算参数组；在至少三个错误率软件中构建空间通量环境；将所述单粒子截面模型计算参数组分别代入每个空间通量环境得到原值和新值的错误率；通过原值和新值的错误率进行在轨错误率多模校验。本发明以常规手段构建基于不同软件的空间模型，并通过关键参数提取法，计算得到多组实际在轨错误率，通过多模态校正输出合理的在轨错误率。
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公开(公告)号：CN118246304A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410477291.7
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/25 , G16C60/00 , G06F17/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及一种基于定积分的电子吸收剂量仿真方法及系统，属于核物理和计量学领域，通过结合试验结果和仿真方法对集成电路的总剂量进行估计；首先通过构建靶材料的简化三维模型，得到靶材料的厚度‑能量曲线；其次是通过试验和仿真结合计算，用于精准评估集成电路中的总剂量值；本发明的计算结果更可控，相比于等效总剂量试验非实时的剂量校正，通过对靶材料进行三维建模，仅需多测量一组靶材料数据，就可快速获得集成电路中的总剂量。
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