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公开(公告)号：CN102214611A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110139305.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/762 , B82B3/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN形成SiN侧墙；氧化形成纳米线；形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；注入多晶硅；光刻定义栅线条；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。本发明提供的方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102208351A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110139383.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO2；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；定义Fin硬掩膜；将光刻胶上的图形转移到材料A硬掩膜上；源漏注入；形成Si Fin和大源漏；形成纳米线；定义沟道区；将光刻胶上露出来区域的材料A去除；将光刻胶露出来区域的SiO2去除；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；淀积SiN；定义栅线条；形成栅线条；淀积SiN；形成SiN侧墙；淀积和化学机械抛光SiO2；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2；退火；完成器件制备。本发明空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102353886B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110188149.3
申请日：2011-07-05
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管自加热效应的温度的测量方法。本发明的测量方法使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使器件电流在亚阈电流Isub和开态电流Ion之间切换，电流方向在源端和漏端之间切换，检测亚阈电流的变化值，最终得到源端和漏端的温度。本发明的测量方法简单，可以得到晶体管正常工作时源端和漏端的温度，以及晶体管正常工作时，晶体管的自加热效应导致晶体管的源区和漏区的温度提高的大小，且不需要设计特殊的测试结构。此外，该测量方法还能用于表征晶体管间热耦合对晶体管的源端和漏端的温度的影响。测试得到的源端和漏端的温度能够有效用于晶体管的可靠性及性能的分析中，有利于晶体管及芯片的设计及优化。
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公开(公告)号：CN102208351B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110139383.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO2；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；定义Fin硬掩膜；将光刻胶上的图形转移到材料A硬掩膜上；源漏注入；形成Si Fin和大源漏；形成纳米线；定义沟道区；将光刻胶上露出来区域的材料A去除；将光刻胶露出来区域的SiO2去除；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；淀积SiN；定义栅线条；形成栅线条；淀积SiN；形成SiN侧墙；淀积和化学机械抛光SiO2；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2；退火；完成器件制备。本发明空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456403A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010523322.6
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/06
CPC classification number: H01L29/42352 , G11C16/0475 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。从而通过编程模式的改变实现四位存储的功能，使得这种器件在性能得到提升的同时，存储密度也有较大的改善。
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公开(公告)号：CN102214595A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110139058.0
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/76289 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO2；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin条；形成Fin和大源漏的硬掩膜；形成Si Fin条和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN，形成SiN侧墙；氧化，形成纳米线；去除氧化层，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；定义栅线条；将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；多晶硅和源漏注入；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；完成器件制备。本发明的方法，与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102135512A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110053084.1
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种测试方形纳米线边界热阻随尺度变化的方法。所述方法包括如下步骤：1、制作一组测试结构，该结构包含三个测试样品(Y1、Y2、Y3)；2、和步骤1同样的方法按照样品宽度呈等差数列制作多组测试结构；3、测出各组测试结构中三个样品各自的整体热阻；4、计算两种材料的边界热阻；5、根据样品的宽度和对应的边界热阻制图。本发明提供了一种结构简单，操作简易，成本低廉的边界热阻的测试方法，实现了对纳米尺度边界热阻随材料尺寸变化的测试，实验结果对当器件特征尺寸缩小到纳米尺度的散热性进行了单项的研究。对纳米尺度器件散热结构的设计和材料的选取给出了直接的指导作用。
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公开(公告)号：CN102135512B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110053084.1
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种测试方形纳米线边界热阻随尺度变化的方法。所述方法包括如下步骤：1、制作一组测试结构，该结构包含三个测试样品(Y1、Y2、Y3)；2、和步骤1同样的方法按照样品宽度呈等差数列制作多组测试结构；3、测出各组测试结构中三个样品各自的整体热阻；4、计算两种材料的边界热阻；5、根据样品的宽度和对应的边界热阻制图。本发明提供了一种结构简单，操作简易，成本低廉的边界热阻的测试方法，实现了对纳米尺度边界热阻随材料尺寸变化的测试，实验结果对当器件特征尺寸缩小到纳米尺度的散热性进行了单项的研究。对纳米尺度器件散热结构的设计和材料的选取给出了直接的指导作用。
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公开(公告)号：CN102353887B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110273484.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法，设计了辅助器件结构，包括圆柱内芯和内芯外包裹的第一圆环、第二圆环，第一圆环与第二圆环形成的圆形边界即为待测界面的等效界面，从而将晶向、尺寸等影响统一考虑，取等效界面热阻，从而简化界面热效应相关计算，建立了一个简易的模型研究热效应。通过改变第一圆环和第二圆环的材料，可以测量不同材料的圆形边界界面热阻。根据得到的等效热阻，可以就热效应对环栅器件的影响进行建模分析。
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