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公开(公告)号：CN109920887B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910179543.7
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN108615795B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810257305.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性，同时又降低了制备难度，对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。
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公开(公告)号：CN109982479A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910096412.2
申请日：2019-01-31
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光电路，所述白光发光二极管的调光电路包括：控制单元，以输出控制信号；恒流源模块，以输出恒定电流，所述控制单元耦合至所述恒流源模块；多个发光二极管，包括红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管，所述恒流源模块与所述多个发光二极管电性连接；其中，所述控制单元通过脉冲宽度调制的方法，利用所述恒流源模块对所述多个发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN105023984B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN103560186B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310526518.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸及位置，将纳米压印和电子束曝光结合起来，将模板重复运用有利于芯片的批量化生产；对纳米柱的侧壁实施去损伤处理，使侧壁损伤得到修复，减少了漏电流的产生，起到防止短路的作用；将纳米LED芯片与倒装结构相结合，使得器件具有更高的光提取效率，更好的散热效果以及更均匀的电流扩展，提高了器件的性能；分立的结构，实现了单个纳米LED的独立电致发光，改变了现有的纳米柱阵列一齐发光的研究现状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102252829B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110103783.2
申请日：2011-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公布了一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量LED光功率和光谱随电流变化关系，在外量子效率极值附近通过非线性拟和得到内量子效率数值，并根据公式计算出对应的出光效率，由于出光效率不随注入电流变化，这样就得到了不同注入电流下的出光效率，进一步，利用该出光效率，计算得到不同注入电流下相应的LED的内量子效率。本发明有以下优点：运用常规的测量数据进行分析，方法简单且可操作性强，数据结果可信度高；能够比较方便测量封装或未封装的LED管芯的内量子效率和出光效率，可用于分析芯片结构和封装结构对LED效率的影响；能够测量不同电流下的LED的内量子效率和出光效率。
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公开(公告)号：CN102252829A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110103783.2
申请日：2011-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公布了一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量LED光功率和光谱随电流变化关系，在外量子效率极值附近通过非线性拟和得到内量子效率数值，并根据公式计算出对应的出光效率，由于出光效率不随注入电流变化，这样就得到了不同注入电流下的出光效率，进一步，利用该出光效率，计算得到不同注入电流下相应的LED的内量子效率。本发明有以下优点：运用常规的测量数据进行分析，方法简单且可操作性强，数据结果可信度高；能够比较方便测量封装或未封装的LED管芯的内量子效率和出光效率，可用于分析芯片结构和封装结构对LED效率的影响；能够测量不同电流下的LED的内量子效率和出光效率。
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公开(公告)号：CN101771115B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910076039.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。
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公开(公告)号：CN101732804B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810226941.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明公开了一种昼夜节律紊乱治疗仪，包括眼镜式模框、贴片发光二极管模块和电源，还包括装配在所述眼镜式模框中的导光板，所述的导光板位于所述贴片发光二极管模块的出光面下方，以把发光二极管的输出光均匀散开而减弱轴向光强。本发明还公开了一种昼夜节律紊乱治疗仪的制作方法。本发明通过导光板技术对贴片发光二极管的轴向光强进行减弱，以保证照射治疗中视网膜的安全性，具有便携、安全的优点。
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公开(公告)号：CN102005370A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010504222.9
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。
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