公开(公告)号：CN102252829B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110103783.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  徐承龙 ,  颜建 ,  吴超 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明公布了一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量LED光功率和光谱随电流变化关系，在外量子效率极值附近通过非线性拟和得到内量子效率数值，并根据公式计算出对应的出光效率，由于出光效率不随注入电流变化，这样就得到了不同注入电流下的出光效率，进一步，利用该出光效率，计算得到不同注入电流下相应的LED的内量子效率。本发明有以下优点：运用常规的测量数据进行分析，方法简单且可操作性强，数据结果可信度高；能够比较方便测量封装或未封装的LED管芯的内量子效率和出光效率，可用于分析芯片结构和封装结构对LED效率的影响；能够测量不同电流下的LED的内量子效率和出光效率。

公开(公告)号：CN102252829A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110103783.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  徐承龙 ,  颜建 ,  吴超 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明公布了一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量LED光功率和光谱随电流变化关系，在外量子效率极值附近通过非线性拟和得到内量子效率数值，并根据公式计算出对应的出光效率，由于出光效率不随注入电流变化，这样就得到了不同注入电流下的出光效率，进一步，利用该出光效率，计算得到不同注入电流下相应的LED的内量子效率。本发明有以下优点：运用常规的测量数据进行分析，方法简单且可操作性强，数据结果可信度高；能够比较方便测量封装或未封装的LED管芯的内量子效率和出光效率，可用于分析芯片结构和封装结构对LED效率的影响；能够测量不同电流下的LED的内量子效率和出光效率。