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公开(公告)号：CN102285631B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110153728.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法，属于纳米加工技术领域。该方法具体包括：将石墨或石墨烯解离露出新鲜的表面并放置于原子力显微镜样品台上，石墨或石墨烯一端通过导线接地；用原子力显微镜扫描石墨或石墨烯表面并选取待刻蚀的区域；将原子力显微镜的针尖逼近石墨或石墨烯表面，设置扫描范围，进入扫描状态，同时在针尖上加负电压，当针尖处于多针尖状态，刻蚀石墨或石墨烯表面形成沟槽，从而得到所设计的加工图形。本发明利用多针尖效应，可以通过一次刻蚀得到两条或多条间距极窄的刻蚀沟槽。
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公开(公告)号：CN102495065B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110378195.X
申请日：2011-11-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于二维纳米结构材料薄膜表面的缺陷分布的探测方法，涉及材料表面缺陷及其分布检测领域。该方法首先将样品进行预先烘干，将样品表面的水分子清除掉，通过水蒸气喷射装置将水蒸气和其他气体的混合气体流通过样品表面，进行凝结操作；获取薄膜材料表面水珠在单次和多次凝结情况下的形态、数量和分布特征，确定样品表面的缺陷分布规律。本发明由于二维薄膜材料表面对水分子的吸附、凝结过程通常在毫秒的时间内完成，所以缺陷的检测非常迅速；且该方法利用去离子水蒸气，对材料表面温和，只需后续烘干即可将样品恢复至原始的状态，故该方法对待检样品是无损的。
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公开(公告)号：CN103193216A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310126385.1
申请日：2013-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，然后泡掉残余的光刻胶；将经过轰击的光刻胶、石墨烯和目标衬底一并进行高温处理，使光刻胶碳化，形成碳纳米复合材料。本发明所得到的密集分布的有较高的导电性能的大比面积的碳纳米材料的厚度大概为50～200nm，各个碳纳米线条的直径大概为十几纳米，长度为数十纳米。
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公开(公告)号：CN102354668B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110308483.8
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料，然后将石墨烯转移到淀积有介质材料的碳纳米管上，将碳纳米管的电极引出，并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。本发明可以同时制备出两种结构的碳基纳米材料晶体管，即半导体性碳纳米管做沟道、石墨烯做栅电极的晶体管和金属性碳纳米管做栅电极、石墨烯做沟道的晶体管结构。
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公开(公告)号：CN102495065A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110378195.X
申请日：2011-11-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于二维纳米结构材料薄膜表面的缺陷分布的探测方法，涉及材料表面缺陷及其分布检测领域。该方法首先将样品进行预先烘干，将样品表面的水分子清除掉，通过水蒸气喷射装置将水蒸气和其他气体的混合气体流通过样品表面，进行凝结操作；获取薄膜材料表面水珠在单次和多次凝结情况下的形态、数量和分布特征，确定样品表面的缺陷分布规律。本发明由于二维薄膜材料表面对水分子的吸附、凝结过程通常在毫秒的时间内完成，所以缺陷的检测非常迅速；且该方法利用去离子水蒸气，对材料表面温和，只需后续烘干即可将样品恢复至原始的状态，故该方法对待检样品是无损的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102434621A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110255982.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种低温扫描近场光学显微镜的减振结构，属于近场光学仪器制造领域。在低温扫描近场光学显微镜的真空腔内设有一金属套筒，低温SNOM扫描头通过弹簧悬挂在金属套筒内的顶部，起到一次减振的作用。进一步设有磁阻尼减振装置，磁阻尼减振装置的“U”形铜框部分固定在扫描头底座下表面，相对应的磁铁固定在导热铜盘上。振动时，“U”铜框沿磁铁的一边作切割磁力线运动引起磁阻尼，起到二次减振的作用。本发明实现了低温扫描近场光学显微镜扫描头的减振。
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公开(公告)号：CN102426270A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110258114.2
申请日：2011-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种低温扫描近场光学显微镜的光学系统，属于近场光学仪器制造领域。该低温SNOM的光学系统包括激光器、照明光纤、粗逼近步进马达、光学聚焦镜、音叉、针尖光纤、光谱仪和光电倍增管，粗逼近马达的移动部件为石英三棱柱，石英三棱柱的中心设有通孔，照明光纤穿过该通孔，光学聚焦镜固定在石英三棱柱的下表面，光学聚焦镜包括上下两个光学共轴的透镜，针尖光纤与音叉固定在光学聚焦镜下方，针尖光纤穿过光学聚焦镜后从镜筒侧壁开孔引出，通过光纤导入到光谱仪和光电倍增管。本发明无须再外加开放光路，使得真空腔体里光路调节简化。
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公开(公告)号：CN102082159A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010522990.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法，属于纳米尺度的发光装置。该纳米尺度点光源是在大气、室温条件下利用石墨烯薄膜和金属电极电连接实现的，具体是：石墨烯薄膜与金属电极呈十字交叉，或石墨烯薄膜搭接在两个金属电极上，形成电学接触，石墨烯薄膜和金属电极接触处形成石墨烯–金属结，在石墨烯–金属结上施加偏置电压，石墨烯–金属结上构成纳米尺度的单点或多点发光光源。本发明的点光源可以在室温、大气环境下稳定工作，无需通常光源所需的真空装置。本发明可应用于微纳光电集成系统、纳米集成光路、高分辨显示、量子信息技术。同时利用石墨烯薄膜柔软特性，可在柔软衬底上实现光电器件和电路、显示器或集成系统。
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公开(公告)号：CN101780943A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910312966.8
申请日：2009-12-31
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，属于纳米加工技术领域。该方法包括：在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管，在碳纳米管上再沉积一氧化硅薄膜，随后，用氢氟酸溶液刻蚀掉氧化硅薄膜，即可在氧化硅衬底上得到纳米尺度沟槽。本发明利用碳纳米管增强刻蚀特性，在室温下制备纳米尺度氧化硅沟槽。该沟槽形状取决于碳纳米管的形状，刻蚀时不受表面形貌变化的影响；沟槽的位置和方向可通过预先调整碳纳米管的位置和取向来控制，沟槽的宽度和深度可通过控制刻蚀时间和碳纳米管的直径来控制。本发明与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、大面积的纳米尺度氧化硅沟槽的制备。
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公开(公告)号：CN103224232A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310143368.9
申请日：2013-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯纳米孔洞具有精度高、孔洞深度在单原子水平、便于化学修饰、可导电、使用寿命长、成本低廉等诸多优点。本发明将在单分子检测、电化学操控、生物识别等领域具有较大应用。
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