一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN102082159B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010522990.7

    申请日:2010-10-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法,属于纳米尺度的发光装置。该纳米尺度点光源是在大气、室温条件下利用石墨烯薄膜和金属电极电连接实现的,具体是:石墨烯薄膜与金属电极呈十字交叉,或石墨烯薄膜搭接在两个金属电极上,形成电学接触,石墨烯薄膜和金属电极接触处形成石墨烯–金属结,在石墨烯–金属结上施加偏置电压,石墨烯–金属结上构成纳米尺度的单点或多点发光光源。本发明的点光源可以在室温、大气环境下稳定工作,无需通常光源所需的真空装置。本发明可应用于微纳光电集成系统、纳米集成光路、高分辨显示、量子信息技术。同时利用石墨烯薄膜柔软特性,可在柔软衬底上实现光电器件和电路、显示器或集成系统。

    一种基于石墨烯的纳米尺度点光源阵列

    公开(公告)号:CN102034845A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010526919.6

    申请日:2010-10-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源的阵列,属于纳米尺度的发光装置。该点光源的阵列包括一衬底,在衬底上覆盖有一绝缘介质层、金属互连线埋于该介质层中,介质层上方为金属电极阵列,金属互连线连接金属电极阵列中的每个电极,在金属电极阵列上铺设一层石墨烯薄膜,在金属电极和石墨烯薄膜上施加一偏置电压;或者在金属电极阵列中两相邻电极上铺设一层石墨烯薄膜,在此相邻电极对之间施加一偏置电压。本发明制造工艺可与硅基加工技术兼容、集成度高,能大幅提高光源辐照范围和光强,可以作为显示阵列或者存储单元阵列,应用于高分辨率显示装置或信息存储系统。

    一种基于石墨烯的纳米尺度点光源阵列

    公开(公告)号:CN102034845B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201010526919.6

    申请日:2010-10-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源的阵列,属于纳米尺度的发光装置。该点光源的阵列包括一衬底,在衬底上覆盖有一绝缘介质层、金属互连线埋于该介质层中,介质层上方为金属电极阵列,金属互连线连接金属电极阵列中的每个电极,在金属电极阵列上铺设一层石墨烯薄膜,在金属电极和石墨烯薄膜上施加一偏置电压;或者在金属电极阵列中两相邻电极上铺设一层石墨烯薄膜,在此相邻电极对之间施加一偏置电压。本发明制造工艺可与硅基加工技术兼容、集成度高,能大幅提高光源辐照范围和光强,可以作为显示阵列或者存储单元阵列,应用于高分辨率显示装置或信息存储系统。

    一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN102082159A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN201010522990.7

    申请日:2010-10-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法,属于纳米尺度的发光装置。该纳米尺度点光源是在大气、室温条件下利用石墨烯薄膜和金属电极电连接实现的,具体是:石墨烯薄膜与金属电极呈十字交叉,或石墨烯薄膜搭接在两个金属电极上,形成电学接触,石墨烯薄膜和金属电极接触处形成石墨烯–金属结,在石墨烯–金属结上施加偏置电压,石墨烯–金属结上构成纳米尺度的单点或多点发光光源。本发明的点光源可以在室温、大气环境下稳定工作,无需通常光源所需的真空装置。本发明可应用于微纳光电集成系统、纳米集成光路、高分辨显示、量子信息技术。同时利用石墨烯薄膜柔软特性,可在柔软衬底上实现光电器件和电路、显示器或集成系统。

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