公开(公告)号：CN101780943B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910312966.8

申请日：2009-12-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵华波 ,  张朝晖 ,  傅云义 ,  张岩 ,  李彦 ,  严峰 ,  应轶群

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，属于纳米加工技术领域。该方法包括：在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管，在碳纳米管上再沉积一氧化硅薄膜，随后，用氢氟酸溶液刻蚀掉氧化硅薄膜，即可在氧化硅衬底上得到纳米尺度沟槽。本发明利用碳纳米管增强刻蚀特性，在室温下制备纳米尺度氧化硅沟槽。该沟槽形状取决于碳纳米管的形状，刻蚀时不受表面形貌变化的影响；沟槽的位置和方向可通过预先调整碳纳米管的位置和取向来控制，沟槽的宽度和深度可通过控制刻蚀时间和碳纳米管的直径来控制。本发明与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、大面积的纳米尺度氧化硅沟槽的制备。

公开(公告)号：CN101780943A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910312966.8

申请日：2009-12-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵华波 ,  张朝晖 ,  傅云义 ,  张岩 ,  李彦 ,  严峰 ,  应轶群

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，属于纳米加工技术领域。该方法包括：在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管，在碳纳米管上再沉积一氧化硅薄膜，随后，用氢氟酸溶液刻蚀掉氧化硅薄膜，即可在氧化硅衬底上得到纳米尺度沟槽。本发明利用碳纳米管增强刻蚀特性，在室温下制备纳米尺度氧化硅沟槽。该沟槽形状取决于碳纳米管的形状，刻蚀时不受表面形貌变化的影响；沟槽的位置和方向可通过预先调整碳纳米管的位置和取向来控制，沟槽的宽度和深度可通过控制刻蚀时间和碳纳米管的直径来控制。本发明与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、大面积的纳米尺度氧化硅沟槽的制备。