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公开(公告)号：CN115663078B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211354352.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合结构的制备方法。本发明通过在外延衬底的第一周期性沟槽上转移二维晶体过渡层，二维晶体过渡层上在形成与第一周期性沟槽错开的第二周期性沟槽，然后沉积支撑保护层，再沉积实现所需的AlN基材料的功能层，采用热氧化法除去二维晶体过渡层，获得半悬空的AlN复合结构；本发明工艺难度低，适于大规模产业化生产；周期性沟槽和AlN功能层的设计窗口大，能够满足不同用途深紫外光源器件和射频电子器件的材料需求，应用范围广。
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公开(公告)号：CN115911094A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211443885.3
申请日：2022-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , H10B51/30 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法。本发明利用外延技术实现高质量的铁电介质层和沟道；通过插入层、阻挡层和高阻缓冲层的引入，大大降低了铁电存储器的漏电问题，使得该器件具有更好的稳定性和耐受性，提升器件的寿命，降低器件的产热和功耗；利用ScAlN铁电介质层作为铁电功能层的同时，与GaN形成异质结，以异质结的界面作为沟道，相比于传统铁电存储器沟道和铁电介质层分离的结构，简化了工艺步骤；并且由于异质结沟道中载流子浓度和载流子迁移率远大于传统铁电存储器中的半导体沟道，使得本发明中的三端铁电存储器具有更高的功率密度和更好的高频特性，能够被用于射频和大功率电路等领域。
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公开(公告)号：CN115663078A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211354352.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合结构的制备方法。本发明通过在外延衬底的第一周期性沟槽上转移二维晶体过渡层，二维晶体过渡层上在形成与第一周期性沟槽错开的第二周期性沟槽，然后沉积支撑保护层，再沉积实现所需的AlN基材料的功能层，采用热氧化法除去二维晶体过渡层，获得半悬空的AlN复合结构；本发明工艺难度低，适于大规模产业化生产；周期性沟槽和AlN功能层的设计窗口大，能够满足不同用途深紫外光源器件和射频电子器件的材料需求，应用范围广。
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公开(公告)号：CN115430450A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211045142.0
申请日：2022-08-30
Abstract: 本发明涉及热催化剂技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮氧化物Si催化剂的制备方法及其应用，通过分子束外延法（MBE）与高温退火相结合，制得III族氮氧化物NWs/Si载体，利用光沉积法在载体表面锚定Rh纳米颗粒（Rh NPs）制得所需热催化剂，通过降低关键基元反应的活化能改变决速步骤，从而获得了较低的反应启动温度。本发明的制备方法具有操作简单，高度可控，制造成本低的优点。将制得的热催化剂应用在CO2热催化氢化至CO的反应中，避免了高温高压等严苛的实验条件，且大大提高了CO2氢化产CO的速率。Rh NPs具有高度的分散性，确保了高效、长效催化CO2氢化反应的发生。与现有的商业催化体系相比，CO2氢化活性高出4个数量级，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114975700A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210914235.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物LED的制备与无损界面分离方法。本发明采用原子辐照技术，改性在透明衬底上的二维原子晶体层，得到辐照区，在改性后的二维原子晶体层制备氮化物LED结构，再通过金属功能层固化支撑基板，从透明衬底背面入射可见光激光，定向破坏二维原子晶体层的辐照区，得到从透明衬底上分离出来的氮化物LED结构、金属功能层和支撑基板的整体结构；本发明能够实现界面无损分离，透明衬底的重复使用，与氮化物LED和Micro‑LED的外延与加工工艺兼容，应用于晶圆级氮化物LED和微米级Micro‑LED阵列的制造与分离，无需预置氮化物牺牲层，无需额外磨抛工艺；本发明节能环保、工艺简单并适于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109585269B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811330967.0
申请日：2018-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法。本发明通过在半导体单晶厚膜结构与异质衬底之间引入二维晶体过渡层，利用原子层间分子力结合弱、易于破坏分离的特点，采用剥离方法实现半导体单晶厚膜结构与异质衬底的分离，得到大尺寸、高质量的自支撑半导体单晶衬底；能够根据二维晶体的厚度自主选择自剥离或机械剥离的方式，增加剥离工艺可控性，不会对半导体单晶厚膜结构造成损伤，成品率高，可重复性好；通过二维晶体层间弱分子力键合，部分释放异质衬底和半导体单晶厚膜结构间的失配应力，避免生长及降温时开裂；异质衬底可重复使用，工艺稳定，成本低廉；设备简单，易操作，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN107919269B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711025682.1
申请日：2017-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法。本发明中量子点的纵向尺寸由量子阱的厚度控制，量子点组分由量子阱的组分控制，均匀性高于自组装生长的量子点结构；量子点的横向尺寸，通过选择性热蒸发的方式予以调控，能够突破外延生长极限，其横向尺寸能够远低于自组装生长的量子点；量子点在微结构中的位置通过微纳加工技术控制，能够实现量子点在微结构中的位置高度可控；本发明利用选择性热蒸发处理预后制备量子点，工艺简单，成本低廉，扩展性强，可重复性高，能够实现批量化制备，推动量子点耦合微结构的实用化进程。
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公开(公告)号：CN109524511B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201811248128.4
申请日：2018-10-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法。本发明采用在生长衬底上生长纳米线形成纳米线基板，然后生长量子点结构，再通过原位热蒸发处理从侧壁缩小横向尺度，得到再构量子点结构，最后原位生长修复层；本发明的量子点的纵向尺寸能够在初始外延生长中得到精确控制，而横向尺寸则能够在基于各向异性热蒸发的再构过程中得到有效控制；再构量子点的横向尺寸，通过各向异性热蒸发调控，能够突破纳米线横向尺寸的禁锢，甚至实现极端尺寸(
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公开(公告)号：CN109524511A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811248128.4
申请日：2018-10-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法。本发明采用在生长衬底上生长纳米线形成纳米线基板，然后生长量子点结构，再通过原位热蒸发处理从侧壁缩小横向尺度，得到再构量子点结构，最后原位生长修复层；本发明的量子点的纵向尺寸能够在初始外延生长中得到精确控制，而横向尺寸则能够在基于各向异性热蒸发的再构过程中得到有效控制；再构量子点的横向尺寸，通过各向异性热蒸发调控，能偶突破纳米线横向尺寸的禁锢，甚至实现极端尺寸(
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公开(公告)号：CN106586944B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201611064839.7
申请日：2016-11-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层，获得多种二维通道结构，适用材料范围广；各层的间距精确可控，二维通道结构设计约束少，适用众多图案；适合工业化生产，图案精度高且适用于多种工业化生产方法，制作方法简单，成本低，用途广泛；工艺约束小，适合多种工艺；可以在隔离层上设计电路，通过外接电源或电信号或光源，或通过调制不同入口压强，控制离子或分子走向，达到能量转换或药物合成等目的；图案配合适当的探测手段(如拉曼光谱，荧光谱等)能有效实现单分子探测或其他生物探测及化学探测，可配合的系统广泛。
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