公开(公告)号：CN101311348A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810101188.3

申请日：2008-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 奚中和 ,  吴越 ,  张耿民 ,  崔宏宇 ,  郭等柱

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。

公开(公告)号：CN101148781A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710119652.7

申请日：2007-07-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 于利刚 ,  张耿民 ,  栾桂东 ,  张金铎 ,  郭等柱

IPC: C30B29/48 ,  C30B29/16 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明提供了一种氧化锌铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.清洗锌片，除去锌片表层的氧化物并使之平整；b.以0.3～0.5摩尔/升的氢氧化锂水溶液作为电解液，阳极氧化锌片；c.取出锌片，用去离子水冲洗干净，在锌片表面获得氧化锌薄膜，该薄膜为多孔状结构，厚度可达10微米，呈现铁电性质。本发明的方法实现了氧化锌在溶液法生长过程中的锂掺杂，获得了具有铁电性质的氧化锌薄膜，简单易行，所需原料廉价，所用设备简单，制备参数容易控制，实现了氧化锌由一般的压电材料向铁电材料的转化。

公开(公告)号：CN1857915A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510011678.0

申请日：2005-04-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  奚中和 ,  张耿民 ,  张暐 ,  王胜 ,  吴越 ,  王晶云 ,  梁学磊 ,  吴锦雷 ,  彭练矛 ,  赵兴钰

IPC: B32B5/08

Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。

公开(公告)号：CN1830812A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610011721.8

申请日：2006-04-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 奚中和 ,  张耿民 ,  吴越 ,  郭等柱

IPC: C01G41/02

Abstract: 一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称，直径为1至6微米，长度为5至10微米。所述的制备方法包括步骤：(1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中；(2)通入保护气体，除去反应腔室内空气，并使腔内压强保持在0.35至0.45MPa之间；(3)加热，使反应腔室内温度达到1100－1300℃，并保持30－45分钟，在钨基底上生长氧化钨微米管，其化学成分为WO3·xH2O；(4)反应腔室内温度自然降至室温，微米管的化学成分由WO3·xH2O脱水而成为六角型氧化钨：h－WO3。

公开(公告)号：CN1193397C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01140098.6

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  侯士敏 ,  吴锦雷 ,  张耿民 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  彭练矛 ,  张兆祥

IPC: H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法，包括电导体丝，单壁碳纳米管，电导体丝前端为针尖形；单壁碳纳米管直径为1-2纳米，长度为10～100纳米，将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端，在真空中经加热或电子束轰击处理，在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性，所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源，具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源；复眼式平板显示屏；电子显微分析仪；偏振电子束；自由电子激光器；超亮光源；大气中的X光源；高能电子束手术刀等多个领域。

公开(公告)号：CN1352461A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：CN01140098.6

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  侯士敏 ,  吴锦雷 ,  张耿民 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  彭练矛 ,  张兆祥

IPC: H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法,包括电导体丝,单壁碳纳米管,电导体丝前端为针尖形;单壁碳纳米管直径为1－2纳米,长度为10～100纳米,将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端,在真空中经加热或电子束轰击处理,在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性,所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源,具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源;复眼式平板显示屏;电子显微分析仪;偏振电子束;自由电子激光器;超亮光源;大气中的X光源;高能电子束手术刀等多个领域。