一种双极型有机发光场效应晶体管

    公开(公告)号:CN103972390B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201410217047.3

    申请日:2014-05-21

    Abstract: 本发明属于晶体管器件技术领域,特别涉及一种双极型有机发光场效应晶体管。本发明晶体管由源电极、漏电极、第一发光空穴介入层、第二发光电子介入层、场效应传输层、绝缘层、栅电极和基板构成;本发明使用新型结构,结合了有机发光二极管的发光性能和有机场效应晶体管的电流控制特性,在同一器件中实现两种颜色的光发射,通过电压控制在单一器件中同时实现对发光颜色和强度的控制,可以大幅度降低平板显示技术中的电子器件复杂程度,提高集成性,有可能成为下一代显示领域的核心技术。

    一种功能性红色微球及其制备方法

    公开(公告)号:CN101353395B

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN200810119787.8

    申请日:2008-09-10

    Abstract: 本发明涉及一种功能化红色微球,其特征在于:所述功能化红色微球包括母球和包覆其上的壳,所述母球由选自下述单体聚合而成:二乙烯基苯、甲基丙烯酸烯丙酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯,所述单体的用量为6重量份;共聚物交联剂为苝酐,其用量为0.05~0.4重量份;所述壳为甲基丙烯酸缩水甘油酯的均聚物;所述壳的表面经过酸性季铵盐处理。本发明所涉及的反应的原材料比较简单易得,产物不仅容易处理干净,而且不溶解于较强的有机溶剂。该微球的粒径可达10μm,可以用作电泳素。

    基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件

    公开(公告)号:CN101504970A

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200910079422.1

    申请日:2009-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件,涉及一种光电子器件,它在同一电压下,具有两种不同的导电状态。该器件是在导电衬底(1)为ITO导电玻璃上,依次制作缓冲层(2),功能有源层(3)和铝电极(4)。缓冲层(2)的材料为磺化聚苯乙烯掺杂的聚3,4-乙烯基二氧噻吩;功能有源层(3)的材料为十二硫醇包覆的硫化亚铜纳米晶和共轭聚合物聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基乙撑)的混合物,二者的比例1∶1至3∶1。基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态由于其具有低成本,易加工,膜层薄以及电流开关比高的特点,在未来的信息电子工业领域有着广阔的应用前景。

    单一无机粉末场致发光材料的频控变色屏

    公开(公告)号:CN1585579A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN200410042592.X

    申请日:2004-05-26

    Abstract: 一种单一无机粉末场致发光材料的频控变色屏,涉及一种变色场致发光显示屏。它的结构依次为:铝电极(1),场致发光层(2),ITO电极(3),玻璃衬底(4)。其场致发光层(2)由混入环氧树脂中的具有两类杂质的、发光寿命小于1ms的无机粉末场致发光材料:以铜Cu,锰Mn共激活的硫化锌:ZnS:Cu,Mn,其摩尔配比ZnS∶Cu∶Mn=100∶1∶1制成,驱动电压:交流100~200V,频率为50~50000Hz,频率可调。本发明具有:采用单一无机粉末场致发光材料即可得到不同颜色的发光,能与无机彩色场致发光材料匹配,既可实现稳态,又可实现动态显示,工艺简单、成本低、驱动方便。

    基于多层电荷阻挡层的低暗电流本征偏振光电探测器

    公开(公告)号:CN118742061A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410626494.8

    申请日:2024-05-20

    Abstract: 本发明涉及光学工程领域,具体涉及基于多层电荷阻挡层的低暗电流本征偏振光电探测器,通过在活性层两端添加功能层,实现本征偏振敏感光探测器暗电流的有效降低,提升偏振探测器件的弱光探测能力,分为垂直型结构和平面型结构,垂直型结构本征偏振光电探测器结构自下而上分别为衬底层、ITO电极层、功能层、吸光层、功能层、金属电极层,平面型结构本征偏振光电探测器结构自下而上分别为衬底层、吸光层、功能层、处于同一平面内的阴阳电极。本发明提出的在探测器阴、阳电极处引入电荷阻挡功能层结构以降低暗电流对现有包括但不限于二极管本征偏振探测器、晶体管型偏振探测器等多种结构具有普适性,为实现高性能偏振敏感光电探测器提供了有效方案。

    基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器

    公开(公告)号:CN117177593A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311006649.X

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 本发明涉及光电子技术领域,尤其涉及基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器。本发明基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器,分为三种体系,在具备导电性的硅基底上,每种体系包括沟道功能层、电极以及钙钛矿吸光功能层,三种体系中各层按不同顺序依次相接触,实现晶体管器件的光探测,解决了传统钙钛矿晶体管光电探测器中对钙钛矿层材料的维度要求问题,使得从体材料到低维的钙钛矿材料均可适用于高性能的晶体管光电探测器。并且在有无光照下本发明晶体管光电探测器在晶体管关态区电流呈现显著差异,在循环测试中保持稳定的光暗态开关比。

    一种基于全湿法制作的透明电双稳器件

    公开(公告)号:CN108539017A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201710119751.9

    申请日:2017-03-02

    CPC classification number: H01L51/0591

    Abstract: 本发明属于有机光电子技术领域,特别涉及一种基于全湿法制作的透明电双稳器件。该方法使用新型有机电极材料,其双稳结构由基底、功能层、绝缘层和电极层构成,其特征在于,使用全湿法制备,简化工艺,提高效率,成本低廉,使用透明材料,在保持高透光率的同时,能够达到较好的器件最大开关比,在显示、能源等领域有广泛应用前景。

    一种聚合物太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105070839B

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201510404590.9

    申请日:2015-07-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供一种聚合物太阳能电池,所述聚合物太阳能电池包括自下而上依次叠加的玻璃衬底、阳极层、阳极修饰层、活性层和阴极层,其特征在于,所述活性层与阴极层之间的界面呈互补的峰谷状微纳结构,所述峰谷状微纳结构的峰宽为300~400μm、峰高为20~30nm,并且所述活性层包含聚3‑己基噻吩(P3HT):[6.6]‑C60‑苯基丁酸甲酯(PCBM)和丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)。本发明还提供一种制备聚合物太阳能电池的简单方法。所述微纳结构扩大了阴极与活性层材料的接触界面,提高了电极对电荷的收集效率,改善了聚合物太阳能电池的效率。

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