公开(公告)号：CN118742061A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410626494.8

申请日：2024-05-20

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 江景赞 ,  李嘉 ,  柯石川 ,  胡煜峰 ,  滕枫

IPC: H10K30/85 ,  H10K30/86 ,  H10K30/60 ,  H10K30/65

Abstract: 本发明涉及光学工程领域，具体涉及基于多层电荷阻挡层的低暗电流本征偏振光电探测器，通过在活性层两端添加功能层，实现本征偏振敏感光探测器暗电流的有效降低，提升偏振探测器件的弱光探测能力，分为垂直型结构和平面型结构，垂直型结构本征偏振光电探测器结构自下而上分别为衬底层、ITO电极层、功能层、吸光层、功能层、金属电极层，平面型结构本征偏振光电探测器结构自下而上分别为衬底层、吸光层、功能层、处于同一平面内的阴阳电极。本发明提出的在探测器阴、阳电极处引入电荷阻挡功能层结构以降低暗电流对现有包括但不限于二极管本征偏振探测器、晶体管型偏振探测器等多种结构具有普适性，为实现高性能偏振敏感光电探测器提供了有效方案。

公开(公告)号：CN117705272A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311370524.5

申请日：2023-10-20

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李嘉 ,  江景赞 ,  孙俊 ,  柯石川 ,  胡煜峰 ,  滕枫

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/48 ,  G01J1/02

Abstract: 本发明涉及光学工程技术领域，具体涉及电化学晶体管型偏振敏感光电探测器，包括活性层、电解质栅极、电极和衬底，采用电化学晶体管结构及进行取向化处理的活性层，获得在小电压下工作的近红外偏振敏感电化学晶体管型光电探测器。该光电探测器可更换不同电化学晶体管器件结构，包括但不限于顶栅底接触、顶栅顶接触、底栅底接触、底栅顶接触、垂直型晶体管等结构；活性层的取向处理为摩擦取向或应变取向或定向诱导生长取向等，不仅工作电压低、能耗低，还拓宽了可携带信息的范围，可探测不同波段的光波长及光强的偏振敏感性，生物兼容性强，在生物医学领域具有应用价值。