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公开(公告)号：CN116891738B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310858144.X
申请日：2023-07-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶，制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470‑480nm处。本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后，在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构，在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰，半峰全宽为36‑46nm，实现了窄谱带发光特性，具有构筑电致发光器件的前景；具有优异的结晶性、分散性及发光特性，做为发光层进行电致发光二极管的构筑，能够获得高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料无毒无害，反应时间较短，便于产业化大批量生产。
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公开(公告)号：CN115011333A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210601670.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，包括制备谱带无镉发光半导体纳米晶使用的药品为I族、Ⅲ族金属盐及Ⅵ族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽(FWHM)小于45nm；光致发光峰位于540nm‑585nm区间。本发明实现了I‑III‑VI族半导体纳米晶FWHM小于45nm的窄谱带发光；在维持光致发光峰的FWHM均小于45nm同时，实现了光谱范围在540‑585nm内范围可调，获得了绿、黄、橙三种AIS@GaSx半导体纳米晶；所使用的合成方案产物随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制；能够获得光致发光光谱中位于600–800nm处缺陷发射更低的发光材料。
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公开(公告)号：CN101504970B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910079422.1
申请日：2009-03-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件，涉及一种光电子器件，它在同一电压下，具有两种不同的导电状态。该器件是在导电衬底(1)为ITO导电玻璃上，依次制作缓冲层(2)，功能有源层(3)和铝电极(4)。缓冲层(2)的材料为磺化聚苯乙烯掺杂的聚3，4-乙烯基二氧噻吩；功能有源层(3)的材料为十二硫醇包覆的硫化亚铜纳米晶和共轭聚合物聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基乙撑)的混合物，二者的比例1∶1至3∶1。基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态由于其具有低成本，易加工，膜层薄以及电流开关比高的特点，在未来的信息电子工业领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117866623A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311709939.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明实现了半峰宽小于40nm的光致发光光谱；通过调控In、Ga的比例，实现了窄谱带绿光至红光范围量子点的合成，发光峰位在480nm‑680nm，拓宽了窄谱带发光范围，同时也实现了窄带发射的特性；引入少量的锌前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，实现量子荧光产率大于40％、窄带发射的特性；简化了步骤，合成简单便捷；随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制。
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公开(公告)号：CN116445914A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310175620.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种镍铁合金掩膜刻蚀液、制备方法及镍铁合金掩模的制备方法，属于刻蚀液技术领域，采用轧制的镍铁合金薄膜作为基材，基于光刻工艺制定的掩膜，使用化学刻蚀法制备掩模。刻蚀液为FeCl3、浓硝酸、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷、硝酸钠和浓盐酸复配的刻蚀液，保持温度在40～60℃，刻蚀出的形貌清晰，精细。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116285963B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211516263.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
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公开(公告)号：CN115011333B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210601670.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，包括制备谱带无镉发光半导体纳米晶使用的药品为I族、Ⅲ族金属盐及Ⅵ族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽(FWHM)小于45nm；光致发光峰位于540nm‑585nm区间。本发明实现了I‑III‑VI族半导体纳米晶FWHM小于45nm的窄谱带发光；在维持光致发光峰的FWHM均小于45nm同时，实现了光谱范围在540‑585nm内范围可调，获得了绿、黄、橙三种AIS@GaSx半导体纳米晶；所使用的合成方案产物随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制；能够获得光致发光光谱中位于600–800nm处缺陷发射更低的发光材料。
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公开(公告)号：CN105802603B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610168531.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供了一种量子点固体粉末的生产方法。该方法主要包括：合成量子点之后，将所述量子点分散到溶剂中，在所述溶剂中加入叔丁醇，将量子点从所述溶剂中析出，对析出的量子点进行固化处理，对固化后的量子点进行冻干处理，得到量子点固体粉末。本发明实施例的方法有效地克服了现有工艺会破坏纳米晶体表面配体且不能得到颗粒细致、大小均一、性能优良的纳米晶体粉末的缺点，通过合理的溶剂搭配，并应用冻干技术，在完整保存量子点表面配体的同时，得到了高质量的量子点粉末，从而量子点的物理、化学性质得到了很好的保护。
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公开(公告)号：CN105802603A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610168531.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: C09K11/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01G15/006 , C09K11/623 , C09K11/88
Abstract: 本发明提供了一种量子点固体粉末的生产方法。该方法主要包括：合成量子点之后，将所述量子点分散到溶剂中，在所述溶剂中加入叔丁醇，将量子点从所述溶剂中析出，对析出的量子点进行固化处理，对固化后的量子点进行冻干处理，得到量子点固体粉末。本发明实施例的方法有效地克服了现有工艺会破坏纳米晶体表面配体且不能得到颗粒细致、大小均一、性能优良的纳米晶体粉末的缺点，通过合理的溶剂搭配，并应用冻干技术，在完整保存量子点表面配体的同时，得到了高质量的量子点粉末，从而量子点的物理、化学性质得到了很好的保护。
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公开(公告)号：CN116891738A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310858144.X
申请日：2023-07-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶，制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470‑480nm处。本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后，在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构，在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰，半峰全宽为36‑46nm，实现了窄谱带发光特性，具有构筑电致发光器件的前景；具有优异的结晶性、分散性及发光特性，做为发光层进行电致发光二极管的构筑，能够获得高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料无毒无害，反应时间较短，便于产业化大批量生产。
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