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公开(公告)号：CN117705272A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311370524.5
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及光学工程技术领域，具体涉及电化学晶体管型偏振敏感光电探测器，包括活性层、电解质栅极、电极和衬底，采用电化学晶体管结构及进行取向化处理的活性层，获得在小电压下工作的近红外偏振敏感电化学晶体管型光电探测器。该光电探测器可更换不同电化学晶体管器件结构，包括但不限于顶栅底接触、顶栅顶接触、底栅底接触、底栅顶接触、垂直型晶体管等结构；活性层的取向处理为摩擦取向或应变取向或定向诱导生长取向等，不仅工作电压低、能耗低，还拓宽了可携带信息的范围，可探测不同波段的光波长及光强的偏振敏感性，生物兼容性强，在生物医学领域具有应用价值。
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公开(公告)号：CN118742061A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410626494.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及光学工程领域，具体涉及基于多层电荷阻挡层的低暗电流本征偏振光电探测器，通过在活性层两端添加功能层，实现本征偏振敏感光探测器暗电流的有效降低，提升偏振探测器件的弱光探测能力，分为垂直型结构和平面型结构，垂直型结构本征偏振光电探测器结构自下而上分别为衬底层、ITO电极层、功能层、吸光层、功能层、金属电极层，平面型结构本征偏振光电探测器结构自下而上分别为衬底层、吸光层、功能层、处于同一平面内的阴阳电极。本发明提出的在探测器阴、阳电极处引入电荷阻挡功能层结构以降低暗电流对现有包括但不限于二极管本征偏振探测器、晶体管型偏振探测器等多种结构具有普适性，为实现高性能偏振敏感光电探测器提供了有效方案。
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公开(公告)号：CN117560948A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311522089.3
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明的钙钛矿发光晶体管包括：栅极、介电层、沟道层，电子传输层，修饰层，钙钛矿发光层，空穴传输层以及源电极、漏电极；其中，所述栅极,所述介电层层叠设置，所述沟道层和所述电子传输层为同一层无机氧化物薄膜,设置在介电层上方，所述修饰层，发光层，空穴传输层层设置在沟道层和电子传输层上方，所述源极和漏极分别设置在空穴传输层两边。本发明将沟道层与电子传输层合为同一种无机氧化物薄膜，简化了器件结构和制备工艺，同时，引入了一种聚乙烯吡咯烷酮聚合物作为修饰层，修饰后的器件，实现了均匀的绿光面发射。
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