公开(公告)号：CN117177593A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311006649.X

申请日：2023-08-10

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 郭敏 ,  田昊鑫 ,  张星宇 ,  胡煜峰 ,  滕枫

IPC: H10K30/65 ,  H10K30/80 ,  H01L31/112 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0216 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器。本发明基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器，分为三种体系，在具备导电性的硅基底上，每种体系包括沟道功能层、电极以及钙钛矿吸光功能层，三种体系中各层按不同顺序依次相接触，实现晶体管器件的光探测，解决了传统钙钛矿晶体管光电探测器中对钙钛矿层材料的维度要求问题，使得从体材料到低维的钙钛矿材料均可适用于高性能的晶体管光电探测器。并且在有无光照下本发明晶体管光电探测器在晶体管关态区电流呈现显著差异，在循环测试中保持稳定的光暗态开关比。

公开(公告)号：CN117560948A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311522089.3

申请日：2023-11-15

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张星宇 ,  李嘉 ,  郭敏 ,  胡煜峰 ,  滕枫

IPC: H10K50/30 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60 ,  H10K50/80

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明的钙钛矿发光晶体管包括：栅极、介电层、沟道层，电子传输层，修饰层，钙钛矿发光层，空穴传输层以及源电极、漏电极；其中，所述栅极,所述介电层层叠设置，所述沟道层和所述电子传输层为同一层无机氧化物薄膜,设置在介电层上方，所述修饰层，发光层，空穴传输层层设置在沟道层和电子传输层上方，所述源极和漏极分别设置在空穴传输层两边。本发明将沟道层与电子传输层合为同一种无机氧化物薄膜，简化了器件结构和制备工艺，同时，引入了一种聚乙烯吡咯烷酮聚合物作为修饰层，修饰后的器件，实现了均匀的绿光面发射。