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公开(公告)号：CN104715287A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410708998.0
申请日：2014-11-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于脉冲激光沉积薄膜领域，具体涉及用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法，具体包括如下步骤：根据薄膜脉冲激光沉积物化模型，推导薄膜产物各成分的摩尔比x1随激光能量、基板和靶材的距离以及多元拼合靶材中各单元靶材的圆心角之比x2的理论公式；固定基板和靶材的距离，简化上述理论公式，得到以激光能量和x2为变量的工程公式；根据工程公式方程，在确定激光能量和x2情况下，预测薄膜产物的成分。本发明方法可以用于特定沉积参数下薄膜成分的预测或生产特定成分薄膜时沉积参数的选择。本发明预测方法，对于任意体系的薄膜均可使用，仅需要少量实验数据就能得到可靠性高的工程公式，因而可以大大降低生产时间、成本。
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公开(公告)号：CN104087776A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410342732.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明掺碳增强W-Cu复合材料的制备方法是一种基于有机物掺碳增强W-Cu复合材料的制备方法，该方法利用具有粘附性能的有机物的掺碳工艺，在W粉表面包覆一层有机添加物，将包覆后的W粉置于惰性气氛中进行高温处理使有机添加物发生热解，获得C@W复合粉末；然后以C@W复合粉末为原料通过包覆的方法制备出Cu@C@W复合粉末；再将Cu@C@W复合粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，获得掺碳增强W-Cu复合材料。本发明可以获得致密度高的掺碳增强W-Cu复合材料，具有W-Cu两相界面热阻低，界面结合力强，热导率高等优点。
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公开(公告)号：CN104060117A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410322428.8
申请日：2014-07-08
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及金刚石/铜基复合材料及其制备技术领域，具体公开了金刚石/铜基复合材料及其制备方法，该复合材料中金刚石的质量分数为20％～50％，金刚石颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为先制备铜包钛包金刚石复合粉末，然后将铜包钛包金刚石复合粉末与铜粉混合，形成混合粉末，最后通过表面活化和等离子活化烧结，制备出致密度高的烧结试样。等离子活化烧结工艺为：升温速率50～200℃/min，真空度≤10Pa，烧结时施加压力30～40MPa，烧结温度800℃～900℃，保温时间5～7min。本发明制备金刚石/铜基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，并且操作简单，可控性好。
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公开(公告)号：CN103589884A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310602223.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法，该方法是：根据所需制备的钨铜复合材料的钨铜组分比例称量对应质量的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料得到混合粉体，或直接用对应组分的铜包覆钨粉为烧结原料，将混合粉体或对应组分的铜包覆钨复合粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。本发明工艺简单、可靠，流程短，生产成本低、效率高；所制备出的钨铜复合材料钨含量分布宽、致密度高、具有铜网络结构、组分和结构均一、钨铜界面润湿性得到改善，并且具有优异的热、电、力学性能，因此在电子封装、电触头、电极加工材料等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103041896A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210582264.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锡锑纳米粉体的制备方法，即：以高纯氧化锡粉和氧化锑粉（纯度>99.9，粒度50～500目）作为初始原料，以锑元素与锡元素的原子比1：99～30：70配置原料，采用液氮作为球磨介质，氧化锆球作为研磨球，通过低温球磨，控制球磨时间为1～48小时，球磨转速为100～1000转/分钟，球料比为10:1～100:1，制备出高纯、低团聚、掺杂均匀、掺杂含量为1～30at.%、晶粒尺寸为10～100nm的氧化锡锑纳米粉体。本发明工艺简单，成本低廉，可用于工业化规模连续生产，且制备的氧化锡锑纳米粉体具有纯度高、团聚小、掺杂均匀可控等优点，可广泛应用于太阳能电池、红外吸收隔热材料等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102925727A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210454292.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种Zn@W-Cu热用复合材料的制备方法，其特征是采用磁控溅射的方法，以Zn块为靶材或者采用真空热镀工艺，以纯度为99.9%的Zn粉在W粉表面包覆一层高纯Zn膜，得到Zn@W粉，再将Zn@W粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%，Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀，然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结，得到Zn@W-Cu热用复合材料。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高、W-Cu之间结合力强、导热、导电性好的W-Cu复合材料，具有W-Cu复合材料结构可控，Zn的添加量极少且实现定向包覆等优点。
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公开(公告)号：CN102732849A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210219356.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明镁合金与铝合金表面改性处理及高强连接的方法是：利用磁控溅射技术对镁合金和铝合金进行表面改性处理，沉积微米级厚度的银薄层作为阻隔层和活性层；利用真空扩散焊接工艺在较低温度下实现了镁合金与铝合金的高强连接。本发明的优点在于：镀膜改性处理提高了易氧化的铝合金和镁合金的表面抗氧化性；首次利用高活性银薄层在较低温度下实现了镁合金与铝合金的扩散连接；银薄层改变了镁/铝连接界面物相组成和显微结构，阻止了界面高硬度脆性镁铝金属间化合物的生成，形成了高强度的Mg-Ag和Ag-Al金属间过渡层，剪切强度达到20~30MPa，较镁铝直接焊接提高了近4倍；工艺简单，控制精度高；连接件变形小、残余应力小。
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公开(公告)号：CN102031411B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010566861.8
申请日：2010-12-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法，该方法是；采用Zn粉作为添加剂，将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%，Cu=25.0%~90.0%，Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料，然后放入真空热压炉中，按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料，所述真空热压烧结工艺为：真空度为1×10-3~1×10-4Pa，烧结温度为700℃~900℃，保温时间为1~4h，施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料，具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。
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公开(公告)号：CN102351563A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110187425.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明是一种具有多级孔径结构的高孔隙率氮化硅多孔陶瓷的制备方法，具体为：先将α-氮化硅料浆与有机硅树脂稀释液混合均匀，其中α-氮化硅与有机硅树脂的体积比为1:9～4:1；所得物经过干燥、球磨、过筛后与萘粉按质量比为19:1～1:1混合均匀；再将混合粉料模压成型，或模压后冷等静压成型；然后采用阶梯升温模式将成型样品在50～130℃排胶12～24h；最后将热处理后的产物在1100～1700℃、氮气气氛下常压烧结，保温时间为1～5h，即得到所述氮化硅多孔陶瓷。本发明工艺简单、成本低廉、可重复性好，且制得的氮化硅多孔陶瓷具有孔径分布宽、孔隙分布均匀、孔隙率高、力学强度较好等优异性能。
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公开(公告)号：CN102241508A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110081318.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法。一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1)将BaTi2O5原料粉体放入行星式高能球磨机中进行研磨，得到BaTi2O5微粉；2)将BaTi2O5微粉置入石墨模具中，整体移入放电等离子烧结炉中，在真空中以80～150℃/min的速率升温至980～1100℃，保温5～15min，并施加30～60MPa的轴向压力，然后随炉冷却至室温，获得BaTi2O5烧结体；3)将BaTi2O5烧结体置入箱式电炉中，在空气气氛中，以2～10℃/min的速率升温至800～1000℃，保温12～24h，得到BaTi2O5陶瓷块体。本发明中制备的BaTi2O5陶瓷块体物相单一、尺寸大，而且在不掺杂任何烧结助剂的情况下，依然具有极高的致密度(＞95％)，应用前景广阔。
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