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公开(公告)号：CN102241508A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110081318.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法。一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1)将BaTi2O5原料粉体放入行星式高能球磨机中进行研磨，得到BaTi2O5微粉；2)将BaTi2O5微粉置入石墨模具中，整体移入放电等离子烧结炉中，在真空中以80～150℃/min的速率升温至980～1100℃，保温5～15min，并施加30～60MPa的轴向压力，然后随炉冷却至室温，获得BaTi2O5烧结体；3)将BaTi2O5烧结体置入箱式电炉中，在空气气氛中，以2～10℃/min的速率升温至800～1000℃，保温12～24h，得到BaTi2O5陶瓷块体。本发明中制备的BaTi2O5陶瓷块体物相单一、尺寸大，而且在不掺杂任何烧结助剂的情况下，依然具有极高的致密度(＞95％)，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN102184777A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110090141.3
申请日：2011-04-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容及其制备方法。铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容，其特征在于它由下电极层、BaTi2O5铁电薄膜层和上电极层组成，BaTi2O5铁电薄膜层位于下电极层与上电极层之间；下电极层为Pt/TiO2/SiO2/Si，Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/MgO中的一种，采用磁控溅射方法逐层溅射制备；BaTi2O5铁电薄膜层采用脉冲激光沉积方法制备在下电极层上，BaTi2O5铁电薄膜为b轴择优取向，BaTi2O5铁电薄膜层的厚度230～510nm；上电极层的材料为Pt金属，采用磁控溅射方法制备在BaTi2O5铁电薄膜层上，上电极层的厚度为80～170nm。本发明与现有PZT和SBT薄膜电容相比，具有无铅环保、适用范围广(高居里温度)等优点。
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公开(公告)号：CN102241508B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110081318.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法。一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1)将BaTi2O5原料粉体放入行星式高能球磨机中进行研磨，得到BaTi2O5微粉；2)将BaTi2O5微粉置入石墨模具中，整体移入放电等离子烧结炉中，在真空中以80～150℃/min的速率升温至980～1100℃，保温5～15min，并施加30～60MPa的轴向压力，然后随炉冷却至室温，获得BaTi2O5烧结体；3)将BaTi2O5烧结体置入箱式电炉中，在空气气氛中，以2～10℃/min的速率升温至800～1000℃，保温12～24h，得到BaTi2O5陶瓷块体。本发明中制备的BaTi2O5陶瓷块体物相单一、尺寸大，而且在不掺杂任何烧结助剂的情况下，依然具有极高的致密度(＞95％)，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN101818327A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010137524.7
申请日：2010-03-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 一种在Si单晶基片上制备BaTi2O5铁电薄膜的方法，包括：1)将沿a轴方向生长的Si单晶基片和MgO陶瓷靶材送入沉积室中并抽真空，加热基片并通入高纯氧气，将脉冲激光束照射在靶材表面上，使靶材表面产生等离子体羽辉，最后沉积在基片上形成MgO薄膜缓冲层；2)将沉积有MgO薄膜缓冲层的Si单晶基片和BaTi2O5陶瓷靶材送入沉积室中并抽真空，加热基片并通入高纯氧气，将脉冲激光束照射在靶材表面上，使靶材表面产生等离子体羽辉，最后沉积在基片上形成BaTi2O5铁电薄膜。本发明通过构筑与BaTi2O5铁电薄膜相匹配的MgO薄膜缓冲层，能够获得在Si单晶基片上沿b轴方向择优生长、物相单一的BaTi2O5铁电薄膜，实现BaTi2O5铁电薄膜与半导体工艺的兼容性，有利于与传统半导体器件的集成。
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