公开(公告)号：CN118541876A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202280083505.1

申请日：2022-10-21

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 吹留博一 ,  末光哲也 ,  渡边一世 ,  川原实 ,  秋山昌次 ,  飞坂优二 ,  川合信

IPC: H01Q23/00 ,  C01B32/184 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01P11/00 ,  H01Q1/38

Abstract: 提供一种适合用于从数10GHz至100GHz以上的信号频带的天线模块。所述天线模块包括：其中至少最上表面为碳化硅的单晶的基板；设置为与基板的最上面接触的单晶石墨烯层；和设置在基板上的氮化镓层。该天线模块的特征在于，通过将石墨烯层中未被氮化镓层覆盖的区域图案化而形成的天线元件部、在氮化镓层上形成的有源元件部、和连接天线元件部和有源元件部的连接部一体地形成。

公开(公告)号：CN118475733A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086720.7

申请日：2022-10-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供能够高特性且廉价地制作第III族氮化物的单晶的第III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法。本发明的第III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷构成的芯被厚度0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置于支承基板的上表面且具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；单晶的晶种层，其设置于平坦化层的上表面且具有0.04μm以上且小于0.10μm的厚度；以及根据需要的应力调整层，其设置于支承基板的下表面。

公开(公告)号：CN101262029B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810083479.4

申请日：2008-03-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。

公开(公告)号：CN101981654A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111732.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信 ,  伊藤厚雄 ,  久保田芳宏 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101978467A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110193.3

申请日：2009-03-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30608

Abstract: 本发明提供一种制造SOI晶片的方法，该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层，所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近；确保基板的面内均一性；还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序；和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。

公开(公告)号：CN101946303A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105188.3

申请日：2009-02-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种将退火工序中的基板的膜厚变化降到最小限度、而且达到表面平滑化的方法。一种SOI基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。

公开(公告)号：CN101290872A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810093348.4

申请日：2008-04-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。

公开(公告)号：CN101286537A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810090977.1

申请日：2008-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；将此两者贴合的工序；机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序；于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域，并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序；形成各集电电极的工序；以及形成透明保护膜的工序。

公开(公告)号：CN101286443A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。

公开(公告)号：CN101262029A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810083479.4

申请日：2008-03-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。