高特性外延生长用基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN118475733A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202280086720.7

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明提供能够高特性且廉价地制作第III族氮化物的单晶的第III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法。本发明的第III族氮化物系外延生长用基板具备:支承基板,其具有由氮化物陶瓷构成的芯被厚度0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构;平坦化层,其设置于支承基板的上表面且具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度;单晶的晶种层,其设置于平坦化层的上表面且具有0.04μm以上且小于0.10μm的厚度;以及根据需要的应力调整层,其设置于支承基板的下表面。

    SOI基板的制造方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101981654A

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:CN200980111732.5

    申请日:2009-04-01

    CPC classification number: H01L21/76254 H01L27/12

    Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法,所述SOI基板为透明绝缘性基板,所述SOI基板具有:一个主表面,硅薄膜形成于该主表面上;粗糙的主表面,该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法,所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜,所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上,而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的,所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序:制备所述透明绝缘性基板的工序,作为所述透明绝缘性基板,所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm,并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度;以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

    SOI晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN101978467A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200980110193.3

    申请日:2009-03-23

    CPC classification number: H01L21/76254 H01L21/30608

    Abstract: 本发明提供一种制造SOI晶片的方法,该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层,所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近;确保基板的面内均一性;还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序:将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序,所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层;沿所述离子注入层进行剥离,从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上,制成剥离后的SOI晶片的工序;将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序;对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序;和/或通过10-50nm的CMP研磨,对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。

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