公开(公告)号：CN103403883B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

公开(公告)号：CN102449784B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080022788.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山中贞则 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/14 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L27/1446 ,  G01J5/024 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。

公开(公告)号：CN102449775B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201080023680.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/076 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0522 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。

公开(公告)号：CN102668029B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN102668110A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055527.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  高田朋幸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1852 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，具备：基底基板；牺牲层，与基底基板进行晶格匹配或者准晶格匹配；第1结晶层，由形成在牺牲层上的SixGe1-x(0≤x＜1)的外延结晶构成；以及第2结晶层，形成在第1结晶层上，由禁带宽比第1结晶层还大的3-5族化合物半导体的外延结晶构成。基底基板例如由单晶GaAs构成。牺牲层例如由InmAlnGa1-m-nAs(0≤m＜1、0＜n≤1、0＜n+m≤1)的外延结晶构成。

公开(公告)号：CN1871699B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。

公开(公告)号：CN102341889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010719.3

申请日：2010-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/107 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。

公开(公告)号：CN102171791A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138963.5

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02647 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其是依次包括底板基板、绝缘层、SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的半导体基板，且包括设置于SixGe1-x结晶层上的抑制层、和与SixGe1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体，并且抑制层具有贯通至SixGe1-x结晶层的开口且抑制化合物半导体的晶体生长。另外，本发明提供一种电子器件，其包括：衬底、设置于衬底上的绝缘层、设置于绝缘层上的SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)、设置于SixGe1-x结晶层上且抑制化合物半导体的晶体生长并且具有贯通至SixGe1-x结晶层的开口的抑制层、在开口内部与SixGe1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体、使用化合物半导体所形成的半导体器件。

公开(公告)号：CN101978503A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109236.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 杉山正和 ,  霜垣幸浩 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。

公开(公告)号：CN1871699A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。