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公开(公告)号：CN109314139A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
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公开(公告)号：CN105283951A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480032850.8
申请日：2014-05-29
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0255 , H01L29/417 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104769708A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380057853.2
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 大仓康嗣
IPC: H01L21/66 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/32 , G01R31/2621 , H01L22/14 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7397 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具备：并列设置了多个栅极电极(26)的半导体基板(12)，形成于所述半导体基板(12)上的多个栅极布线(38)，多个栅极焊盘(36)，第1焊盘(32)以及第2焊盘(40)。相邻的所述栅极电极(26)规定多个单元(42)，所述多个单元(42)包含多个晶体管单元(44)。所述多个栅极电极(26)由所述多个栅极布线(38)区分成多个种类。所述多个晶体管单元(44)由规定的所述栅极电极(26)的组合被区分成多个种类。
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公开(公告)号：CN113632214B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202080021722.9
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 经由接合件而与引线框电连接。一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将(56)对比文件US 2005133896 A1,2005.06.23JP 2011091259 A,2011.05.06JP 2012243890 A,2012.12.10王辉;王德宏.半导体激光器焊接的热分析.微纳电子技术.2008,(07),全文.阳英;柴广跃;段子刚;高敏;张浩希.基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析.电子与封装.2008,(09),全文.
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公开(公告)号：CN115148725A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210305517.6
申请日：2022-03-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置包括半导体元件，该半导体元件具有保护膜(411)，保护膜具有暴露源极(41s)的一部分的开口(411a)并且被布置/设置为将其端部定位在所述源极上。重新布线层具有连接到所述源极和导电连接构件的布线(44s、47、48a、48b)和覆盖所述源极布线的一部分的绝缘体(43)。绝缘体包括绝缘膜(431)和绝缘膜(432)，绝缘膜(431)具有(a)用于暴露源极布线的一部分的开口(431a)和(b)所述开口(431a)的设置在开口(411a)的面向区域中的端部；绝缘膜(432)具有(c)(i)用于使具有被布置在其中的焊料的源极布线的一部分暴露的开口(432a)和(ii)被布置在其中的连接构件。
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公开(公告)号：CN113632214A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080021722.9
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第2散热部件中的与半导体装置面对的另一面(3b)的外轮廓伸出，第2布线的一端延伸设置至半导体装置中的从另一面的外轮廓伸出的部分，一端经由接合件而与引线框电连接。
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公开(公告)号：CN105283951B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480032850.8
申请日：2014-05-29
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0255 , H01L29/417 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
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