公开(公告)号：CN113156302A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110273437.2

申请日：2021-03-09

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 于新 ,  陆妩 ,  王信 ,  李小龙 ,  刘墨寒 ,  孙静 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G01R31/316

Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。

公开(公告)号：CN112214952A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202011125363.X

申请日：2020-10-20

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郑齐文 ,  崔江维 ,  李小龙 ,  魏莹 ,  余学峰 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/36

Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。