-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101127432A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200610112407.9
申请日：2006-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长N型砷化镓上欧姆接触层，用来制作下欧姆电极，完成太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长。
-
公开(公告)号：CN101916965B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010231191.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
-
公开(公告)号：CN101630812B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810116832.4
申请日：2008-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括：一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。
-
公开(公告)号：CN101026287A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610003179.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
-
公开(公告)号：CN1978714A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126237.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温；步骤4：将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值；步骤5：按转化时间与转化而成的白磷量经验公式，计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间，外延出高性能磷化铟材料。
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.045 seconds)
