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公开(公告)号：CN104393132B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410636516.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。本发明是通过提高MQW中空穴的注入效率和减小InGaN量子阱中的QCSE效应，实现绿光LED发光效率的提升。
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公开(公告)号：CN104658830B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510094613.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。本发明是利用负电子亲和势进行电子发射，进一步提高电子发射密度。
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公开(公告)号：CN105513951A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510996216.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层具有一定氢杂质浓度的P型氮化镓层；在氮气环境下，高温退火使P型氮化镓层中受主激活，得到低电阻率P型氮化镓材料。本发明，通过用氢杂质与施主缺陷(如氮空位)形成络合物，钝化施主缺陷的方法减轻p型氮化镓材料中的受主补偿作用，达到降低P型氮化镓材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN104600565A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510031845.1
申请日：2015-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。
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公开(公告)号：CN104409344A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410652670.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L21/3245
Abstract: 一种降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括如下步骤：步骤1：在p-GaN层上生长重掺杂的p-GaN薄层；步骤2：对p-GaN层和p-GaN薄层进行Mg激活退火；步骤3：在p-GaN薄层上生长重掺杂的p-InGaN薄层；步骤4：对p-InGaN薄层进行Mg激活退火，形成样品；步骤5：将样品表面进行处理，在样品表面光刻，形成图形；步骤6：在样品的表面通过电子束蒸发来蒸发Ni/Au金属层；步骤7：将多余的Ni/Au金属层剥离；步骤8：退火形成Ni/Au合金，形成欧姆接触，完成制备。本发明可以进一步提高p-GaN欧姆接触的性能，以更好的将宽禁带半导体材料应用于高频、大功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269740A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410490395.8
申请日：2014-09-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。
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公开(公告)号：CN101898751B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNⅢ族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101626025B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101922015A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010263078.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
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公开(公告)号：CN101901850A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085926.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面；一P型有源层，该P型有源层制作在I型有源层上；两N型欧姆电极，该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在P型有源层上。
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