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公开(公告)号：CN113471313B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110754203.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法，单行载流子探测器，包括：公共N接触层(3)；纳米线阵列，包括多个纳米线(0)，多个纳米线(0)非接触地并列排布在公共N接触层(3)上，纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。本公开的单行载流子探测器相对于传统的薄膜型单行载流子探测器，大大降低了结电容面积，在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收，因而同时拥有高的响应度以及与渡越时间相关的3‑dB带宽，可以满足新一代自由空间光通信系统的要求。
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公开(公告)号：CN111554567A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010418570.8
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，方法包括：将源物质置于指定气体中进行加热，使所述源物质蒸发，所述源物质包括砷化镉；将所述指定气体的流速调整至预定流速，以通过所述指定气体将蒸发出的所述源物质输运到与所述源物质相距预定距离的衬底上；其中，所述衬底上覆盖有多个相互分离的金颗粒，所述金颗粒通过在衬底上沉积预定厚度的金薄膜并进行退火后得到；金颗粒呈岛状，尺寸为亚微米或微米级别；对所述源物质进行降温，以使源物质在金颗粒上成核、结晶并生长，得到纳米线状狄拉克半金属砷化镉。通过本发明提供的方法，可以控制纳米线状狄拉克半金属砷化镉的直径和长度等尺寸，且制备方法简单可靠，成本低廉。
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公开(公告)号：CN106783745B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201611182489.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/142 , H01L27/144 , H01L27/15
Abstract: 一种可延展柔性无机光电子器件及其制备方法，该方法包括以下步骤：在衬底上生长外延材料，并刻蚀形成多个光电子器件单元，在多个光电子器件单元上制备接触电极；在多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物‑金属‑聚合物互连结构，并通过接触电极形成电学互连；在聚合物‑金属‑聚合物互连结构上旋涂胶膜，并对胶膜选择性显影去除；将上述结构黏附于预拉伸并固定的柔性可延展衬底上，并腐蚀去除生长有外延材料的衬底；去除剩余的胶膜，逐渐释放预拉伸并固定的柔性可延展衬底，形成翘曲结构，完成器件制备。本方法制备的可延展柔性无机光电子器件，同时具有高可延展性和高占空比的特性。
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公开(公告)号：CN108109904A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711335666.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L21/02381 , B82Y30/00 , H01L21/02562 , H01L21/02603 , H01L21/02631
Abstract: 一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，该制备方法包括：对源材料砷化镉固体粉末进行加热使其在规定的气氛下蒸发，蒸发出的源物质通过特定大小的气流输运到距离源物质一定距离的衬底上，在一定的加热时间内源物质在衬底上成核、结晶从而生长出纳米线状砷化镉。本发明的制备方法操作简单、成本低廉、安全可靠并且可以在一定程度上控制纳米线状砷化镉的形貌。
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公开(公告)号：CN106877732A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710164775.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H02N1/04
CPC classification number: H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机，包括：上摩擦层，包含：上绝缘层(200)，由柔性材料制备；上电极(100)，位于上绝缘层之上；下摩擦层，包含：衬底(400)，由柔性材料制备；下电极(300)，位于衬底之上，由褶皱的导电薄膜材料制备。褶皱的设计提高了摩擦面积和摩擦效应，使得相同面积的器件可以有更大的输出电压，在同样的空间结构中，有效提高了摩擦发电机的输出电压和输出功率，有利于将多个摩擦发电机进行集成和推广，上、下均为褶皱电极还提升了器件的延展性，从而拓宽了发电方式，不仅可以通过压力发电，还可以通过拉伸和弯曲发电，增强了器件的通用性，有助于拓宽摩擦发电机在复杂环境与人机界面方面的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783745A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611182489.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/142 , H01L27/144 , H01L27/15
Abstract: 一种可延展柔性无机光电子器件及其制备方法，该方法包括以下步骤：在衬底上生长外延材料，并刻蚀形成多个光电子器件单元，在多个光电子器件单元上制备接触电极；在多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物‑金属‑聚合物互连结构，并通过接触电极形成电学互连；在聚合物‑金属‑聚合物互连结构上旋涂胶膜，并对胶膜选择性显影去除；将上述结构黏附于预拉伸并固定的柔性可延展衬底上，并腐蚀去除生长有外延材料的衬底；去除剩余的胶膜，逐渐释放预拉伸并固定的柔性可延展衬底，形成翘曲结构，完成器件制备。本方法制备的可延展柔性无机光电子器件，同时具有高可延展性和高占空比的特性。
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公开(公告)号：CN106711252A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611060442.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种包含缓冲层的外延结构，包括衬底、基本缓冲层、阶梯渐变缓冲叠层和渐变缓冲层，该结构是通过在阶梯渐变缓冲叠层之间生长线性渐变缓冲层来实现降低异变材料表面粗糙度，增加异变材料结晶质量的目的，线性渐变层的厚度控制在50nm以内。由于在阶梯渐变缓冲叠层之间生长了线性渐变缓冲层，无需在生长过程中对源进行中断，从而使生长更易于操控，成本低，有利于生产。本发明还提供了一种包含缓冲层的外延结构生长的方法。
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公开(公告)号：CN105932106A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610361608.6
申请日：2016-05-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1844
Abstract: 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。
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公开(公告)号：CN105573010A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610113157.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02F1/35 , B82Y40/00 , G01N21/658
Abstract: 本发明公开了一种能够实现表面增强相干反斯托克斯拉曼散射(SECARS)的纳米结构，该结构包括：衬底层1和非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2。非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2的每个单元包含一个直径为200nm，高40nm的Au纳米圆盘和一个外半径为100nm，内半径为50nm，高为40nm的Au纳米圆环，两个纳米粒子相互紧挨。该发明的结构可以使相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)的信号得到显著增强。
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公开(公告)号：CN103278942B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310207968.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供了一种可调谐有源滤波器。该可调谐有源滤波器包括：光偏振输入控制单元，用于将输入光转化沿K方向入射的TM模式的偏振光；磁性滤波器本体，位于光偏振输入控制单元的光路后端，由磁性材料和电介质材料制备，为具有缺陷的，沿K方向延伸的周期性布拉格结构，用于利用周期性布拉格结构中缺陷产生的透射峰对由光偏振输入控制单元入射的偏振光进行滤波；以及磁场加载单元，用于产生垂直于K方向和入射偏振光电场方向的磁场，以对布拉格结构中缺陷产生透射峰的位置进行调制。本发明可调谐有源滤波器易于制作，响应时间较短，调谐过程灵活，并且调谐精度更高。
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