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公开(公告)号：CN106328778B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610825825.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京半导体照明科技促进中心
Abstract: 一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN107119417A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710478045.3
申请日：2017-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: D06F5/005 , A61L2/088 , A61L2/10 , A61L2202/26 , D06F35/00 , D06F39/00 , D06F58/00 , F21V33/0044 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明公开了一种带有LED杀菌降解有机物功能的手持洗衣装置，包括机体、震动装置、UVC LED光源、可见光LED光源、红外线LED光源、出水口、UVA或UVB LED光源、光催化板、电路板、储水器、控制面板、电源和USB充电接口，可通过UVA或UVB LED对油渍等有机物进行降解和UVC LED对机体和衣物进行杀菌消毒，加速衣服的清洗并保证使用者的卫生健康。本发明把洗衣机缩小到可以一只手握住的洗衣装置，具有便携性的特点，可以随时对衣物某些特殊位置的污渍进行单独清洗，或对差旅等外出过程中易于产生的污渍进行局部清理，可不用或少用洗涤剂，保证衣物清洗后不会变形。
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公开(公告)号：CN107068826A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710037478.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光出射效率的LED芯片及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。本发明提出的LED芯片包括发光台、以及相邻发光台之间的多个刻蚀槽，可有效增大光线的出射面，改变LED芯片外延层中波导光的传播方向，增加光线的出射效率；另外，在刻蚀槽的底部或侧壁覆盖以反射层，可将外延层中的波导光反射到芯片底部，适用于背面出射的LED芯片，如倒装芯片和垂直芯片，满足了对多种类型LED芯片的适用。本发明还提出了相应LED芯片的制备方法，制备工艺简单易行成本低廉，有利于该种LED芯片的制备和产业化应用。
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公开(公告)号：CN106341094A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610751285.1
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/02015 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供了一种体声波器件的制备方法。采用垂直结构发光二极管工艺中常见的激光剥离、电镀铜和倒装焊工艺，有效解决了单晶体声波器件制备过程中难以在底部金属电极上制备高质量单晶氮化物材料这一技术难题，为高性能体声波器件的制备奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104882522A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510308850.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/0075 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明一种无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法，其中无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管，包括：一衬底；一无掺杂剂n型层，其制作在衬底上；一有源区，其制作在无掺杂剂n型层上；一无掺杂剂p型层，其制作在有源区上。本发明不用引入任何参杂剂，可以提高晶体材料质量，并简化材料的生长步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241352A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410505205.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02436 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延生长在高阻层上；势垒层外延生长在沟道层上。本发明通过极化诱导掺杂实现无掺杂杂质的高阻层，从而降低器件缓冲层漏电，缓解由于缓冲层掺杂而加剧的电流崩塌，实现提高器件击穿电压、改善器件动态导通电阻可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN103311097A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196493.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
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公开(公告)号：CN111952177B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010846206.1
申请日：2020-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域为源漏沟道区；去除源漏沟道区以外的金属掩膜、介质掩膜、势垒层和部分沟道层；以剩余的金属掩膜作为栅电极的栅帽，完成栅电极的制备；进行再生长，分别形成再生长源区和再生长漏区；沉积金属，完成HEMT器件的制备。本发明制作方法中，结合源区和漏区的再生长掩膜，通过单层胶电子束曝光或步进式曝光即可实现传统T栅工艺难以达到的极小尺寸的栅电极，工艺简单可控。
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公开(公告)号：CN113725294B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111028226.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上；接触层，设置于压控沟道层上；内电极金属层，设置于部分p型基区和部分接触层上。
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公开(公告)号：CN117038812A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311212675.8
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种微型发光二极管及其制作方法，该微型发光二极管包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上，p型电极形成在p型层上；绝缘层，形成在n型层、有源层和p型层上，n型电极和p型电极上开设有电极窗口；其中，第一台面的宽度小于第二台面的宽度，以调控有源层内的载流子的输运路径，使载流子远离有源层的侧壁。本发明提供的微型发光二极管能够有效抑制刻蚀损伤带来的辐射复合效率下降，进而可以提高器件的辐射复合效率。
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