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公开(公告)号：CN103105190B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110358851.X
申请日：2011-11-14
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 江苏奥蓝工程玻璃有限公司 , 中科德孵镀膜科技(南通)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镀膜速率的精确标定方法及其应用，方法为：制备包括衬底和干涉膜的标准基片；制备方法为：在衬底上引入一层足以形成干涉的干涉膜；测量标准基片的透射谱或反射谱；将待测速率薄膜镀制在标准基片上一段时间；测量镀膜后的标准基片的透射谱或反射谱；比较镀膜前后透射谱或反射谱，根据峰位的变化量计算出镀膜厚度从而计算出镀膜速率。本发明在衬底上预先引入一层足以形成干涉的干涉膜，在此基础上，只要在标准基片上镀制厚度极薄的待测薄膜，即可引起干涉峰位的明显偏移，远远高于传统方法直接在衬底上镀制待测薄膜前后透射谱的强度变化，可以显著提升标定精度，特别适用于在线检测和实时监控，尤其适合对超低镀膜速率的精确标定。
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公开(公告)号：CN103105011B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310040103.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明公开了一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属基底上的红外高反射银薄膜、铜薄膜、钛铝氮氧薄膜、氧化锌锡锑薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系太阳能吸收率大于96%，发射率小于2%，具有超低发射率，光热转换效率高的特点，同时膜系中的氧化锌锡锑材料镀膜速率高，利于提高生产效率。该膜系可广泛应用于太阳能光热转换的集热器，适合于太阳能热利用在建筑一体化产品方面的应用，尤其适合于中高温太阳能热利用产品的广泛使用。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积基底上连续镀制，实现低成本大规模高效生产。
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公开(公告)号：CN104538482A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410748129.0
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/0304 , H01L31/035209
Abstract: 本发明公开了一种微管谐振腔量子阱红外探测器，自下而上依次包括：衬底、缓冲层、牺牲层、金属下电极、金属上电极、螺旋管状的功能薄膜层，其中，螺旋管状功能薄膜层由应力层、下电极层、腐蚀阻挡层、量子阱层、减薄层组成。本发明将量子阱内嵌在微管的管壁中，利用谐振腔的共振原理，将入射光限制在管壁中并沿其传播从而被量子阱吸收。本发明的优点：一、光耦合能力强，能够将入射光限制在管壁中形成共振增强，从而提高量子阱的吸收，改善器件灵敏度和量子效率；二、更宽的探测视角，微管的螺旋结构能够接受180°方向内入射光；三、微管的直径可调性，便于用户设计，简单的腐蚀即可获得不同直径微管以满足器件不同探测波长需求。
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公开(公告)号：CN103762220A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410021014.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器，该探测器由上层金属线条形成的金属光栅层、量子阱红外光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是：1.利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应，使得能够进入到微腔的光子以那些能够与探测波长偏振模式形成共振的光子为主。2.进入到微腔中的光子其电矢量方向在微腔模式的调制下由x方向改变为z方向，能够被量子阱子带跃迁吸收形成光电转换过程。由于以上特点，本发明的偏振耦合结构能够极大地提高偏振响应的消光比，使探测器具有极高的偏振分辨能力。
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公开(公告)号：CN103681937A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310591022.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832 , G06F17/5086
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法。在器件模拟中发现，在典型的n+-on-p平面结上进行刻蚀，形成周期性光子晶体，从而将占空比降低到0.4时，器件的量子效率能保持不变，而随着有效体积的减小，暗电流会下降70%。本发明的优点在于，该种利用光子晶体人工微结构的限光效应提高光吸收效率并降低暗电流的HgCdTe中长波红外焦平面探测器结构，在维持原有的光响应特性不变的情况下，由于暗电流的降低，而提高了器件的整体性能，同时这种周期性结构与焦平面阵列相兼容，显著降低红外焦平面探测器的读出电路的制作难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103383155A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310251610.4
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ti合金氮化物选择性吸收膜系。该吸收膜系包括：金属衬底、在衬底上依次沉积的Ti合金氮化物选择性吸收膜层、减反射介质膜层、SiO2保护膜层。本发明的吸收膜系对太阳能的吸收率大于97%，发射率小于3%，具有光热转换效率高和集热效率好的特点。本发明的吸收膜系在保持高吸收率和低发射率的前提下，通过调节Ti合金成份可以满足太阳能热水器、太阳能空调等光热产品的多样化和个性化需求。由于本发明Ti合金氮化物选择性吸收膜系结构简单，不涉及氧元素沉积问题，具有制备工艺简单、使用靶材数量少的特点，因此可以极大提高生产效率，降低工业大规模生产的成本，对太阳能选择性吸热膜领域的发展有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN103243885A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310148800.3
申请日：2013-04-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: E04F13/077 , B32B33/00 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法。该膜系自透明基底向上依次包括镀制在透明基底上的下层氮化硅薄膜、可见光吸收薄膜、金属薄膜以及上层氮化硅保护膜。本发明的膜系在可见光范围对太阳光的平均反射率在5%～30%，而辐射率小于10%。同时本发明的膜系在保持对可见光低反射、红外低辐射率前提下，还具有外观颜色可按需求进行调节的特点，丰富多彩的外观颜色可更好地实现了窗槛墙对建筑的美化效果。由于采用了上、下层氮化硅保护膜夹心结构，本发明的膜系还具备可钢化特性。本发明的颜色可调的低辐射窗槛墙膜系可直接通过工业化磁控溅射制备方法在大面积透明基底上连续镀制，易于实现低成本、大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103148598A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310098779.0
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
CPC classification number: Y02E10/44
Abstract: 本发明公开了一种基于吸收颗粒的太阳能平板集热器，其结构特征在于自底层到顶层依次由边框、隔热层、工作介质、金属基板、吸收流体及低辐射模块组成，其中吸收流体由含有可吸收整个太阳能谱段能量的颗粒和流体组成，吸收率可达100％。由于采用了将高吸收与低辐射功能分离的结构，消除了二者之间相互制约的关系，因此，可以在不考虑吸收流体发射率的前提下把吸收率做到100％，完全吸收到达吸收流体的太阳能，显著提升平板太阳能集热器的集热效率，极大地拓展了平板太阳能集热器的适用范围。
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公开(公告)号：CN102201487B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110063598.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法，该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上，进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN102175727B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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