公开(公告)号：CN102201487A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110063598.5

申请日：2011-03-16

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  郭楠 ,  叶振华 ,  陈勇国 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/18 ,  G02B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法，该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上，进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN102201487B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110063598.5

申请日：2011-03-16

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  郭楠 ,  叶振华 ,  陈勇国 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/18 ,  G02B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法，该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上，进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。