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公开(公告)号:CN103107230B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201110358927.9
申请日:2011-11-14
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器,该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场,对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控,导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移,并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后,由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测,本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合,能在正入射条件下吸收响应THz辐射,克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点,大幅度提高了响应度。
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公开(公告)号:CN103762220A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201410021014.1
申请日:2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器,该探测器由上层金属线条形成的金属光栅层、量子阱红外光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是:1.利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应,使得能够进入到微腔的光子以那些能够与探测波长偏振模式形成共振的光子为主。2.进入到微腔中的光子其电矢量方向在微腔模式的调制下由x方向改变为z方向,能够被量子阱子带跃迁吸收形成光电转换过程。由于以上特点,本发明的偏振耦合结构能够极大地提高偏振响应的消光比,使探测器具有极高的偏振分辨能力。
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公开(公告)号:CN102175727B
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201110008829.2
申请日:2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法,包括步骤:测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应,待测定及邻近区域的数值建模,比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定,并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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公开(公告)号:CN101545884A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200910050316.0
申请日:2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法,包括步骤:待测晶片或器件经过扩散区域的剖面试样制备,剖面上扩散区及其附近区域微分电容显微分布的侦测,由微分电容显微分布特征确定PN结的位置和扩散深度。该方法适用于小尺寸的扩散窗口和平面型光电探测器光敏单元检测,空间分辨高并能提供侧向扩散深度的信息。
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公开(公告)号:CN205039169U
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201520736394.7
申请日:2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146 , G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元,该微腔能够有效地捕获入射光子,将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波,并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸,在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同,形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上,使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升,从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
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公开(公告)号:CN204230260U
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201420462905.6
申请日:2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本实用新型公开了一种势垒级联量子阱红外探测器,它由一化合物半导体材料衬底,在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层,并以此为一个周期,重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了级联隧穿结构,在低温状态下,在红外光的辐照下,它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号,从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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公开(公告)号:CN204332979U
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201420597469.3
申请日:2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216
Abstract: 本实用新型公开了一种亚波长等离激元微腔光耦合结构,通过等离激元微腔对入射光的传播方向和光场分布进行调制,使入射光被限制在微腔中传播,减小了光的逃逸,提高了光子的利用率。入射光场被集聚在微腔中使得强度得到极大的增强,通过在微腔中夹持光电转换材料能够形成高响应率的光电探测器。该耦合结构由上层周期性金属条块形成的金属光栅层、光电转换激活层和下层金属反射层组成。本实用新型的优点是:利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应,使得进入到微腔的光子沿横向传播并形成驻波,既集聚了光场能量又增加了等效光吸收的长度,使得探测器响应率得到极大地提升。
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