公开(公告)号：CN112853357A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011254004.4

申请日：2020-11-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李大雨 ,  申贤哲 ,  李相赫 ,  金奎怖

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明公开一种在有机发光二极管(OLED)像素制造中使用的不包含磷酸的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的金属布线形成方法。具体来讲，涉及一种通过在金属布线的制造工程中将金属膜蚀刻成特定图案而形成金属布线的蚀刻液组合物。上述蚀刻液组合物包含：羧基化合物40至60重量％、磺酸化合物1至4.9重量％、硝酸盐化合物10至20重量％、唑类化合物0.1至1重量％、以及余量的水。

公开(公告)号：CN108456885A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810149885.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李相赫 ,  申贤哲 ,  金奎怖 ,  李秉雄

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法，更详细而言，涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水，其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。

公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN1891862A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610092226.4

申请日：2006-06-15

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 宋桂灿 ,  金钟一 ,  李坰默 ,  曺三永 ,  申贤哲 ,  金南绪

IPC: C23F1/16 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23F1/16 ,  C09K13/06 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295

Abstract: 一种用于去除导电材料的组合物以及一种使用该组合物制造阵列基板的方法，其中该组合物可以包括大约3wt％至 15wt％的硝酸、大约40wt％至70wt％的磷酸、大约5wt％至35wt％的醋酸。该组合物还可以包括大约0.05wt％至5wt％的氯化物、大约0.01wt％至5wt％的氯稳定剂、大约0.01wt％至5wt％的pH稳定剂、以及剩余量的水。

公开(公告)号：CN1873054A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610084694.7

申请日：2006-05-29

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李骐范 ,  曺三永 ,  申贤哲 ,  金南绪

IPC: C23F1/16

Abstract: 本发明提供蚀刻组合物，采用所述组合物可以以下部膜Al－Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al－Nd/Mo双层膜或Mo/Al－Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥度，同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。