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公开(公告)号：CN110409000A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910601871.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法，该方法包括：(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数；(2)确定标定实验工艺参数；(3)进行标定实验；(4)通过遗传算法，建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型；(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型；(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数，并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据，建立了一个损伤轮廓模型，通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测，具有成本低、效率高的优点，同时具有普适性。
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公开(公告)号：CN109759587A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910089060.8
申请日：2019-01-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种无辅助支撑加工金属悬垂结构件的增材制造方法，先对三维悬垂结构件的模型数据进行分层离散，得到悬垂结构件增材制造的内外轮廓数据，再对内外轮廓数据进行分段处理，使得增材制造过程在按每段数据加工时相对稳定；在加工过程中对工件进行平移或转动，使工件姿态不断变化，以保证悬垂结构的加工方向始终竖直向上，使熔池处于稳定状态，从而实现小倾角结构无支撑高质量的增材制造。本发明可实现金属悬垂结构件无辅助支撑状态下的增材制造，不需要设计悬垂结构的支架，直接对悬垂结构件进行增材制造，省却了去除支架的机加工过程，材料利用率和加工效率得到提高。
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公开(公告)号：CN103272982B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310185506.X
申请日：2013-05-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属薄壁件铆接装配的铆钉镦粗方向确定方法，包括基础工艺信息模块、铆接工艺固有变形指标模块、空间插值模块和优化模块。采用单学科可行优化框架，集成铆接工艺固有变形指标模块、空间插值模块、优化模块，建立铆钉镦粗方向和装配偏差的定量函数关系，通过适用于离散设计空间寻优的优化算法实现功能。本发明利用铆接变形等效计算、空间插值、有限元分析技术，实现铆接装配铆钉镦粗方向的快速、高精度设计，具有降低金属薄壁件全局铆接装配变形的优点；本发明模块简洁、计算精度高，实现了包含数百铆钉连接的金属薄壁件铆接装配铆钉镦粗方向的快速优化，降低铆接装配件的全局变形。
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公开(公告)号：CN109165400B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201810738661.2
申请日：2018-07-06
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种聚焦离子束刻蚀加工工艺参数的设计方法，该方法包括：（1）确定基底材料及扫描策略；（2）基础结构试加工；（3）建立聚焦离子束溅射刻蚀轮廓计算模型；（4）利用试加工的基础结构轮廓数据与粒子群优化算法对模型中实验环境相关参数进行优化与修正；（5）工艺参数预估与设计；（6）代入模型计算加工刻蚀轮廓；（7）根据误差调整相应工艺参数代入模型计算，并反复调整比对，将最终得到的最优工艺参数即为最终设计参数；本发明通过少量实验数据便可以使聚焦离子束刻蚀轮廓计算模型的参数得到校正以适应于当前的设备与工艺环境，进一步方便有效率的实现FIB工艺参数的设计与校正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110409000B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910601871.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法，该方法包括：(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数；(2)确定标定实验工艺参数；(3)进行标定实验；(4)通过遗传算法，建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型；(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型；(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数，并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据，建立了一个损伤轮廓模型，通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测，具有成本低、效率高的优点，同时具有普适性。
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公开(公告)号：CN112784372A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110015320.4
申请日：2021-01-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种聚焦离子束加工曲面结构灰度图计算方法及系统，首先建立利用传统灰度图加工曲面结构对应的误差通式，然后建立了基于连续元胞自动机的聚焦离子束灰度工艺溅射刻蚀模拟优化系统，误差通式作为初始离子剂量轮廓的补偿量得到优化后的离子剂量轮廓，输入到模拟优化系统中。通过仿真轮廓与设计轮廓的对比，得到轮廓误差，利用遗传算法对误差通式中的自适应参数进行反复筛选，最后系统输出的最佳的离子剂量轮廓，并将其转化为对应的灰度图。本发明提出的加工误差通式，能够对出现的轮廓误差进行普遍意义上的补偿，具有成本低、效率高的优点。
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公开(公告)号：CN108453485B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810175214.0
申请日：2018-03-02
Applicant: 东南大学
IPC: B23P19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于抓取和装配霍尔元件磁环磁片的机构，包括抓取装置、磁环上料装置、磁片上料装置和检测装置。所述抓取装置包括机械手，夹头及第一固定架，用于抓取磁环支架上的磁环和磁片导向槽中的磁片，并将磁环磁片安装在产品连杆的销轴上。所述磁环上料装置通过磁环滑道依次将磁环输送至磁环支架上的第一抓取位置以便夹头抓取。所述磁片上料装置通过第一气缸、第二气缸和电缸模组的配合将磁片滑槽中的磁片依次推送至磁片导向槽以便夹头抓取。所述检测装置通过相机判断有无漏抓磁环磁片。在完成抓取后即检测磁环磁片有无漏抓，既保证了安装磁环磁片的可靠性，提高了合格品率，又提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN106021731B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610341461.4
申请日：2016-05-19
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 多面片拼接曲面零件的模具型面设计方法，本发明涉及模具型面的设计方法，主要是解决设计过程中提取的零件多面片拼接曲面难以延展的问题。本发明交互式提取零件的曲面，根据零件曲面的外轮廓形状，结合拓扑分解、结合技术和曲线曲面插值延伸算法，提出了曲面分解延展和曲面插值延展，分别对应于外轮廓非矩形的零件曲面的延展和外轮廓近似矩形的零件曲面的延展。采用本发明，解决了由于曲面边界线不连续造成的曲面边界各方向延伸后相互干涉的问题，避免了延伸后的曲面不连续、不光滑，很大程度上提高了多面片拼接曲面延展的质量和效率。
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