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公开(公告)号：CN110409000A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910601871.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法，该方法包括：(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数；(2)确定标定实验工艺参数；(3)进行标定实验；(4)通过遗传算法，建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型；(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型；(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数，并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据，建立了一个损伤轮廓模型，通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测，具有成本低、效率高的优点，同时具有普适性。
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公开(公告)号：CN109759587A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910089060.8
申请日：2019-01-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种无辅助支撑加工金属悬垂结构件的增材制造方法，先对三维悬垂结构件的模型数据进行分层离散，得到悬垂结构件增材制造的内外轮廓数据，再对内外轮廓数据进行分段处理，使得增材制造过程在按每段数据加工时相对稳定；在加工过程中对工件进行平移或转动，使工件姿态不断变化，以保证悬垂结构的加工方向始终竖直向上，使熔池处于稳定状态，从而实现小倾角结构无支撑高质量的增材制造。本发明可实现金属悬垂结构件无辅助支撑状态下的增材制造，不需要设计悬垂结构的支架，直接对悬垂结构件进行增材制造，省却了去除支架的机加工过程，材料利用率和加工效率得到提高。
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公开(公告)号：CN110409000B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910601871.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法，该方法包括：(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数；(2)确定标定实验工艺参数；(3)进行标定实验；(4)通过遗传算法，建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型；(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型；(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数，并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据，建立了一个损伤轮廓模型，通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测，具有成本低、效率高的优点，同时具有普适性。
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公开(公告)号：CN109759587B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910089060.8
申请日：2019-01-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种无辅助支撑加工金属悬垂结构件的增材制造方法，先对三维悬垂结构件的模型数据进行分层离散，得到悬垂结构件增材制造的内外轮廓数据，再对内外轮廓数据进行分段处理，使得增材制造过程在按每段数据加工时相对稳定；在加工过程中对工件进行平移或转动，使工件姿态不断变化，以保证悬垂结构的加工方向始终竖直向上，使熔池处于稳定状态，从而实现小倾角结构无支撑高质量的增材制造。本发明可实现金属悬垂结构件无辅助支撑状态下的增材制造，不需要设计悬垂结构的支架，直接对悬垂结构件进行增材制造，省却了去除支架的机加工过程，材料利用率和加工效率得到提高。
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