公开(公告)号：CN108328567A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810014568.7

申请日：2018-01-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  张云泽 ,  张晋 ,  张辉 ,  仇晓黎 ,  史章昆 ,  李征蔚 ,  郝金祎

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种获得高密度曲面或斜面的微针阵列的方法，该方法通过改变掩膜形状大小生成不同高度的针状石英凸台，从而形成斜面或者曲面排列的微针阵列。该方法中的掩膜形状可以为圆形或者三角形，不同的掩膜形状，掩膜大小有不同的计算方式。该方法可以获得高密度微针阵列，且可准确控制阵列形状。

公开(公告)号：CN108328567B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201810014568.7

申请日：2018-01-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  张云泽 ,  张晋 ,  张辉 ,  仇晓黎 ,  史章昆 ,  李征蔚 ,  郝金祎

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种获得高密度曲面或斜面的微针阵列的方法，该方法通过改变掩膜形状大小生成不同高度的针状石英凸台，从而形成斜面或者曲面排列的微针阵列。该方法中的掩膜形状可以为圆形或者三角形，不同的掩膜形状，掩膜大小有不同的计算方式。该方法可以获得高密度微针阵列，且可准确控制阵列形状。

公开(公告)号：CN107915202B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201711116397.0

申请日：2017-11-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  张晋 ,  张云泽 ,  张辉

IPC: B81C1/00 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种快速确定石英任意切向晶面湿法刻蚀结构形貌的方法，步骤包括：以 晶向作为北极点的石英半球进行湿法刻蚀并获得石英半球速率，利用对称性获得全球速率矩阵；为了确定石英给定晶向上的某一角度的掩膜的刻蚀结构面，需根据此晶向相对于 的空间角度对全球速率矩阵进行旋转变换以及插值；从速率矩阵中找出对应掩膜横截面角度的某个环的速率，根据此晶向与 晶向的位置关系选取180°或者270°范围内速率并进行二阶差分；做出二阶差分后的正向极大值以及北极点位置的速度矢量图以及各个矢量平行于掩膜边界的垂面，这些垂面所围成的轮廓即是石英在此刻蚀环境下刻蚀结构。

公开(公告)号：CN107915202A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711116397.0

申请日：2017-11-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 幸研 ,  张晋 ,  张云泽 ,  张辉

IPC: B81C1/00 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种快速确定石英任意切向晶面湿法刻蚀结构形貌的方法，步骤包括：以 晶向作为北极点的石英半球进行湿法刻蚀并获得石英半球速率，利用对称性获得全球速率矩阵；为了确定石英给定晶向上的某一角度的掩膜的刻蚀结构面，需根据此晶向相对于 的空间角度对全球速率矩阵进行旋转变换以及插值；从速率矩阵中找出对应掩膜横截面角度的某个环的速率，根据此晶向与 晶向的位置关系选取180°或者270°范围内速率并进行二阶差分；做出二阶差分后的正向极大值以及北极点位置的速度矢量图以及各个矢量平行于掩膜边界的垂面，这些垂面所围成的轮廓即是石英在此刻蚀环境下刻蚀结构。