公开(公告)号：CN107180865B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201710530001.0

申请日：2017-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李胜 ,  徐志远 ,  杨卓 ,  张小双 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：底部设有集电极金属电极的P型衬底，在P型衬底上方设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有N型外延层，在N型外延层内设有一维阵列分布的P型体区，并在其中设有重掺杂N型发射区，在P型体区与N型外延层之间设有N型载流子存储层，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层的沟槽，各个沟槽横向贯穿各P型体区、重掺杂N型发射区及N型外延层，在沟槽内设有和金属层相连的二极管，在各沟槽下方分别设有重掺杂P阱；在位于相邻沟槽之间的N型外延层的上方分别设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅极；将各个重掺杂N型发射区、P型体区和第二金属连接层连接，作为器件的发射极。

公开(公告)号：CN106024910A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610363983.4

申请日：2016-05-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  童鑫 ,  杨卓 ,  宋慧滨 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

CPC classification number: Y02P70/605 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。

公开(公告)号：CN103928508B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201410179067.6

申请日：2014-04-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  喻慧 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括P型集电区、N型缓冲层、N型漂移区、槽栅结构、第一P型体区、第二P型体区、N型发射极体区、高掺杂N型埋层、发射极金属。其特征在于所述的高掺杂N型埋层位于第二P型体区内部表面下方，由此通过增加器件的表面电阻大大改善空穴的电流路径，使得器件在开关过程中位移电流大大降低，过冲大为减小，噪声大幅减弱。同时，由于保留了传统结构中的第二P型体区，也保留了传统结构良好的正向导通压降与关断损耗的折中关系。此结构工艺简单，易于实现。

公开(公告)号：CN103928507B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410151709.1

申请日：2014-04-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  杨卓 ,  祝靖 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够改善逆导型绝缘栅双极型晶体管电流回跳现象，并且提高关断速率，改善耐压的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区包含对角设置的第一N型漂移区与第一P型漂移区，以及对角设置的第二N型漂移区与第二P型漂移区；在第一N型漂移区和第二P型漂移区内设有P型体区，在P型体区内设有N型发射极区和P型集电极区，以及用于连接两者的阴极金属，且在P型体区的上表面上设有阴极栅氧化层及阴极多晶硅层；在第一P型漂移区与第二N型漂移区内设有N型体区，在N型体区内设有N型集电极区和P型发射极区，以及用于连接两者的阳极金属，且在N型体区的上表面上设有阳极栅氧化层及阳极多晶硅层。

公开(公告)号：CN103762230B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410036513.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈健 ,  郭超 ,  杨卓 ,  祝靖 ,  钟锐 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一P型体区和N型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。

公开(公告)号：CN103618002A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310496804.0

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴伟楠 ,  杨卓 ,  孙华芳 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0603

Abstract: 一种P型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在N型掺杂硅衬底上方依次设有P型掺杂硅缓冲层和P型轻掺杂硅外延层，在P型轻掺杂硅外延层内设有和N型柱，在N型掺杂半导体区中设有P型和N型重掺杂半导体区，在N型柱中设有N型重掺杂半导体区，在N型柱和P型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在P型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的P型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且P型和N型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。

公开(公告)号：CN103489917A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310498518.8

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  倪海涛 ,  祝靖 ,  徐申 ,  钟锐 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/05552 ,  H01L29/7802 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844

Abstract: 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底上方设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区中设有P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区，其特征在于，在N型掺杂硅外延层内还设有绝缘物质填充区，在P型掺杂半导体区及N型掺杂硅外延层的表面设有氧化层，在氧化层上方设有多晶硅，在多晶硅及绝缘物质填充区的上方设有介质层，在介质层上设有栅极焊盘金属且栅极焊盘金属位于绝缘物质填充区的正上方，所述多晶硅通过穿过介质层的金属与栅极焊盘金属相连，在所述P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区上连接有源极金属。

公开(公告)号：CN104701362B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510125579.9

申请日：2015-03-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  李筱媛 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，埋氧层上设有N型漂移区，在N型漂移区内的上表面下方设有P型体区和N型缓冲层，N型缓冲层内设有P型集电极区，其特征在于，在N型漂移区内设有沟槽隔离层，在N型漂移区的上表面与沟槽隔离层形成的两个拐角处分别设有第一P型发射极区和第二P型发射极区，在第一P型发射极区和第二P型发射极区上连接有金属电极，在N型漂移区的上表面下方还设有第三P型发射极区，在第三P型发射极区上连接有第二发射极铝电极，在第二P型发射极区与第三P型发射极区之间的N型漂移区上表面上设有第二栅氧化层，在第二栅氧化层上设有氮化硅层，在氮化硅层上方设有第二多晶硅栅。

公开(公告)号：CN105070753B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510429008.4

申请日：2015-07-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  孙轶 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层，在N型外延层，第一P型体区，N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽，阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方，在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层，在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极，在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层，在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法，容易实现，成本较低。

公开(公告)号：CN105552110A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510964464.9

申请日：2015-12-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  周锦程 ,  杨卓 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0603 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构，包括，兼做漏区的N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，N型外延层表面设有P型条形体区，P型条形体区表面设有重掺杂N型源区和重掺杂P型源区，在N型外延层上设有绝缘栅氧化层，在绝缘栅氧化层上设有导电多晶硅，所述导电多晶硅位于相邻P型条形体区之间区域的上方且两侧分别覆盖相邻P型条形体区，所述导电多晶硅上设有绝缘介质层，重掺杂P型体区和重掺杂N型源区上连接有源极金属，其特征在于，P型条形体区向N型外延层扩展形成多个P型弓形体区，P型弓形体区均匀分布于P型条形体区，且嵌入N型外延层中，本发明保留传统功率半导体晶体管制备方法，提高雪崩耐量，缩小芯片面积，成本较低。