公开(公告)号：CN103928508B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201410179067.6

申请日：2014-04-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  喻慧 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括P型集电区、N型缓冲层、N型漂移区、槽栅结构、第一P型体区、第二P型体区、N型发射极体区、高掺杂N型埋层、发射极金属。其特征在于所述的高掺杂N型埋层位于第二P型体区内部表面下方，由此通过增加器件的表面电阻大大改善空穴的电流路径，使得器件在开关过程中位移电流大大降低，过冲大为减小，噪声大幅减弱。同时，由于保留了传统结构中的第二P型体区，也保留了传统结构良好的正向导通压降与关断损耗的折中关系。此结构工艺简单，易于实现。

公开(公告)号：CN104299992A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410571052.4

申请日：2014-10-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括：P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括：衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。

公开(公告)号：CN104078498A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410334730.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

公开(公告)号：CN103928508A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410179067.6

申请日：2014-04-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  喻慧 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0615

Abstract: 本发明涉及一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括P型集电区、N型缓冲层、N型漂移区、槽栅结构、第一P型体区、第二P型体区、N型发射极体区、高掺杂N型埋层、发射极金属。其特征在于所述的高掺杂N型埋层位于第二P型体区内部表面下方，由此通过增加器件的表面电阻大大改善空穴的电流路径，使得器件在开关过程中位移电流大大降低，过冲大为减小，噪声大幅减弱。同时，由于保留了传统结构中的第二P型体区，也保留了传统结构良好的正向导通压降与关断损耗的折中关系。此结构工艺简单，易于实现。

公开(公告)号：CN104078498B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410334730.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

公开(公告)号：CN104576722A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410813021.5

申请日：2014-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华半导体有限公司 ,  苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  易扬波 ,  苏巍 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种高可靠性的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底、埋氧层，N型漂移区，二氧化硅层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，在P型发射极和N型发射极上连接有发射极电极金属连线，在N型缓冲层中设有P型集电极，在P型集电极上连接有集电极金属，在二氧化硅层内设有多晶硅栅和多晶硅场板，在多晶硅栅上连接有栅极金属，在N型漂移区内还设有一排沟槽，在每个沟槽的内壁上设有一层二氧化硅，在二氧化硅内填充多晶硅，所述沟槽与P型体区、P型发射极、N型发射极和多晶硅栅的U字形开口相邻，所述沟槽位于集电极金属的下方且与集电极金属垂直。

公开(公告)号：CN104299992B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410571052.4

申请日：2014-10-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括：P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括：衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。