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公开(公告)号：CN105489602A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511017594.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN104600120A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021174.0
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/42364
Abstract: 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。
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公开(公告)号：CN103838939A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410126962.1
申请日：2014-03-31
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤：步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容CiSS、CrSS测试，并通过计算得到CGS、CGD与漏极电压相对应的电容值，获取CGS、CGD的测试数据文件，步骤50）建立垂直型场效应晶体管电容CGD模型；步骤60）建立垂直型场效应晶体管电容CGS模型，本发明中垂直型场效应晶体管的直流特性模型可以解决BSIM3V3模型本身不具备垂直型场效应晶体管所具有的准饱和特性的问题，并且弥补了垂直型场效应晶体管电容模型的空白。
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公开(公告)号：CN119967861A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311477718.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：基底；体区和漂移区，沿第一方向排布于基底内；漂移区内设有漏区，体区内设有源区；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介质层，设于基底上，且至少覆盖部分体区和部分漂移区；第一场板，设于第一介质层远离基底的一侧，第一场板在基底上的正投影位于体区和漏区之间，且覆盖部分漂移区；第一高K介质层，设于第一介质层远离基底的一侧，且与第一场板靠近漏区的一端连接，第一高K介质层在基底上的正投影覆盖部分漂移区。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件一方面可以提升器件耐压，另一方面在相同击穿电压下，可以实现更小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119698071A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411866358.2
申请日：2024-12-18
Applicant: 东南大学
IPC: H10D89/60
Abstract: 本发明公开了一种静电放电/电气过载保护电路，属于集成电路领域，该保护电路设置在电压源和电子设备之间，采用金属氧化物半导体场效应管设置钳位电压的静电放电/电气过载保护电路，在静电放电/电气过载来袭时，能将电压大小钳位在金属氧化物半导体场效应管源漏的击穿电压，用自身寄生的二极管作钳位电路，并且能够快速泄放电流。本发明解决了现有技术中保护电路采用较多二极管串并联占用面积较大，泄放电流能力较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993021B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201911310548.5
申请日：2019-12-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。
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公开(公告)号：CN112993034A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911312979.5
申请日：2019-12-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；漂移区，设于所述衬底上；漏极区，设于所述漂移区中；体区，设于所述衬底上；源极区，设于所述体区中；平面栅结构，设于所述体区上；槽栅结构，从所述体区的顶部向下方延伸；体轻掺杂区，设于所述体区中且紧贴所述槽栅结构的侧壁设置，所述体轻掺杂区的掺杂浓度小于周围的体区的掺杂浓度、且与所述体区位于平面栅结构下方的上表面区域的掺杂浓度趋于一致。本发明通过设置与体区位于平面栅结构下方的上表面区域的掺杂浓度趋于一致的体轻掺杂区，从而使平面栅的阈值电压与槽栅的阈值电压趋于一致。
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公开(公告)号：CN108807541B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810537122.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种具有交错叉指式浅槽隔离结构的横向半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区和三个浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区上还设有U形栅氧化层且所述栅氧化层的U形开口朝向漏端并且两端分别延伸至P型体区的上方和浅槽隔离区的上方，在栅氧化层的上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上表面分别设有漏极金属接触、源极金属接触和体区金属接触，其特征在于，所述的浅槽隔离区在漂移区内呈交错叉指式排列。本发明结构能够在击穿电压不变的基础上，获得较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN106298901B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610886226.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105489602B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201511017594.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。
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