公开(公告)号：CN107768224A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710711805.0

申请日：2017-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓纪彦 ,  实吉梨沙子

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种检查等离子体处理装置的喷淋板的方法。在一个实施方式的方法中被检查的所述等离子体处理装置中，气体排出部具有喷淋板。喷淋板形成有多个气体排出孔。该方法包括：(i)设定从第一流量控制器输出的气体的流量的步骤；和(ii)在将以设定的流量从第一流量控制器输出的气体供给到气体排出部且在第一流量控制器与气体排出部之间分支而供给到压力控制式的第二流量控制器的内部的流路的状态下，利用该第二流量控制器的压力计取得表示该第二流量控制器的内部的所述流路中的压力的测定值的步骤。

公开(公告)号：CN1906734A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001439.5

申请日：2005-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓纪彦 ,  手塚一幸 ,  实吉梨沙子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561

Abstract: 本发明提供一种半导体处理装置(1)，包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。

公开(公告)号：CN119234302A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380040189.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓纪彦

IPC: H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种维护装置，其用于辅助进行安装于输送模块的输送机器人的更换，所述维护装置包括台车、壳体、第一升降单元、下部开闭机构、支承单元和第二升降单元。壳体具有上部开口部和下部开口部，配置于台车的上方。第一升降单元安装于台车，构成为能够使壳体在第一上侧位置与第一下侧位置之间升降。壳体在位于第一上侧位置时能够与输送模块连接。下部开闭机构构成为能够对下部开口部进行开闭。支承单元构成为能够支承输送机器人。第二升降单元构成为能够在壳体位于第一上侧位置时使支承单元在位于壳体内的第二上侧位置与位于壳体的下方的第二下侧位置之间升降。

公开(公告)号：CN119028865A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410589918.8

申请日：2024-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓纪彦 ,  松本直树

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供能够在包含挡板结构的基片处理装置中降低腔室内的污染的基片处理装置。基片处理装置包括：配置在基片支承部与腔室的侧壁之间的第一环状挡板；与第一环状挡板在纵向上与重叠地配置的第二环状挡板；和配置在腔室外的第一驱动单元，其包括第一致动器，第一致动器构成为能够通过使上述第二磁铁结构体在横向上旋转而使上述第一磁铁结构体在横向上旋转，通过第一磁铁结构体的横向上旋转而使第二环状挡板相对于第一环状挡板在横向上旋转。

公开(公告)号：CN118541786A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202280088398.1

申请日：2022-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈村树 ,  网仓纪彦 ,  北正知 ,  新藤健弘

IPC: H01L21/677 ,  B25J19/00

Abstract: 一种基片输送系统，包括：基片处理模块，其包括基片处理腔室、基片支承部和测量基片支承部的温度的第一温度传感器；基片输送模块，其包括基片输送腔室、基片输送机器人和温度管理系统，其中，基片输送机器人包括能够保持高温基片的第一末端执行器、能够保持低温基片的第二末端执行器和配置在至少任一个末端执行器的附近的附着物检测传感器，温度管理系统包括向基片输送机器人内供给冷却气体的冷却气体供给单元、测量基片输送机器人内的温度的第二温度传感器和基于第二温度传感器的输出对冷却气体进行温度调节的温度调节部；和控制部，其能够执行基于第一温度传感器的输出来确定使用哪个末端执行器输送基片的步骤、和基于附着物检测传感器的输出来确定对基片输送腔室内进行清洁的时机的步骤。

公开(公告)号：CN112786424A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011144922.1

申请日：2020-10-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽地淳 ,  网仓纪彦

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、基板处理装置和气体供给系统的控制方法，抑制吹扫气体向配管的上游侧的逆流。气体供给系统具有：配管，其供基板处理所使用的处理气体流通；吹扫气体导入管，其与配管连接并且向配管导入吹扫气体；第1阀，其设于配管的比与吹扫气体导入管连接的连接点靠上游侧的位置；第2阀，其设于配管的比第1阀靠上游侧的位置；以及控制部，其在使处理气体向配管流通的情况下，将第1阀以及第2阀维持为开状态，并且在将在配管内流通的气体自处理气体向吹扫气体切换的情况下，将第1阀以及第2阀自开状态向闭状态切换。

公开(公告)号：CN112216587A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010636740.X

申请日：2020-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽地淳 ,  网仓纪彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够计算处理装置的与流量控制器有关的性能的性能计算方法和处理装置。性能计算方法获取多个流量控制器的出厂检查数据。性能计算方法基于获取到的出厂检查数据和表示流量控制器的性能的每个项目的第一系数，来计算通过偏差值表示每个流量控制器的性能的第一性能值。性能计算方法基于计算出的第一性能值和表示使用流量控制器的处理装置的性能的每个项目的第二系数，来计算通过偏差值表示处理装置的性能的第二性能值。

公开(公告)号：CN106257623A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610437677.0

申请日：2016-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽地淳 ,  网仓纪彦 ,  佐藤好保

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  G01F1/684 ,  G05D7/0635 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明的课题在于提高工艺的生产量。一个实施例中的气体供给系统具有构成气体供给系统的多个构成部件和用于配置多个构成部件的基座(212)。在多个构成部件中，一部分构成部件配置于基座(212)的一个面(212a)，另一部分构成部件配置于作为基座(212)的一个面(212a)的背面的另一个面(212b)。在一个实施例中，多个构成部件例如是流量控制器(FD)和二次侧阀(FV2)，二次侧阀(FV2)配置于配置有流量控制器(FD)的基座(212)的面(212a)的背侧的面(212b)。

公开(公告)号：CN102678725A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210065635.0

申请日：2012-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社富士金

Inventor： 网仓纪彦 ,  加贺爪哲 ,  佐藤雅彦 ,  内藤幸男 ,  武藤聪史 ,  中田知宏 ,  筱原努 ,  山路道雄

IPC: F16B39/10 ,  B25B11/02

CPC classification number: F16B39/101 ,  F16B39/103 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/53 ,  Y10T403/50

Abstract: 本发明涉及一种螺栓的防松装置及其安装方法以及安装夹具。本发明提供一种螺栓的防松装置，其部件的构造简化、且能够容易地进行安装作业。具有：分别以不能相对旋转的方式嵌合在多根螺栓(5)的各头部上的多个嵌合部件(2、3)；横跨多个嵌合部件(2、3)地被嵌合的卡合部件(4)。各嵌合部件(2、3)的外周面(2b、3b)为非圆形，在卡合部件(4)上设有与多个嵌合部件(2、3)的各非圆形外周面(2b、3b)对应的多个卡合孔(非圆形卡合部)(8a、8b)。

公开(公告)号：CN101236893B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200810008939.7

申请日：2008-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥荣治 ,  网仓纪彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法，基板处理系统(10)包括：对晶片W实施化学反应处理的第二工艺模块(28)，其具有处理室(33)和对该腔室(33)内气体等进行排气且对腔室(33)内压力进行控制的排气控制系统(37)，在对收容于腔室(33)内的晶片W实施化学反应处理时，通过口径较小的APC阀(55)控制腔室(33)内压力，在对晶片W实施化学反应处理后，开放APC阀(55)并利用干式泵(46)将腔室(33)内的氟化氢气体等从排气管(53)排出，并进一步关闭APC阀(55)并开放隔离阀(51)利用TMP(50)通过排气管(47)排出。