公开(公告)号：CN101390444A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006156.9

申请日：2007-02-07

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田和生 ,  川崎裕雄 ,  岩田辉夫 ,  网仓学

IPC: H05B3/86 ,  H05B3/14 ,  H05B3/74

CPC classification number: H05B3/145 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/283 ,  H05B2203/002 ,  H05B2203/003 ,  H05B2203/014 ,  H05B2203/016 ,  H05B2203/037

Abstract: 本发明提供一种具备能够形成大致均匀的加热温度的碳线发热体的面状加热器。该碳线发热体(CW)的面内配置密度在内侧区域与外侧区域相异。具有向发热体(CW)通电的连接线的电源端子部配置在石英玻璃板状体的背面侧的中央部。内侧的碳线发热体的连接线在石英玻璃板状体的中央部被连接，外侧的碳线发热体的连接线(3a、3b)和内侧的碳线发热体(CW)不交叉，从石英玻璃板状体的中央部延伸设置至外侧区域，并与外侧的碳线发热体(CW)连接。

公开(公告)号：CN101314846A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810109823.2

申请日：2008-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H05B3/20

Abstract: 本发明提供一种能够进一步提高温度均一性的基板载置机构。其包括：埋设有发热体(102)的石英制加热器主体(101)；和在石英制加热器主体(101)的被处理基板载置面(103)上装载的耐腐蚀性陶瓷部件(104)。

公开(公告)号：CN301376275S

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200930389503.2

申请日：2009-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器。2.用途：本产品用于在使用等离子体对晶片进行处理时对晶片进行加热。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.本产品的石英部件是透明的，因此从外面能够看到收容于内部的加热元件。参考图1和参考图2中用斜线表示透明部分。

公开(公告)号：CN301301850S

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200930389508.5

申请日：2009-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

Abstract: 1.名称：晶片处理用热扩散板。2.用途：本产品是对晶片进行等离子体处理时，加热该晶片的加热器单元的部件。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置在加热器单元的上部，该喷头作为电极与高频电源连接，发散加热器单元发出的热量，均匀加热本产品上放置的晶片。3.设计要点：本产品由大致呈圆板形的陶瓷部件构成，其边缘设有沿圆周方向均等配置的3个螺栓孔。4.指定图片：立体图。

公开(公告)号：CN301411500S

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201030217507.5

申请日：2010-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

Abstract: 1.名称：陶瓷罩。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理用腔室内的用于处理晶片的加热器单元中所使用的陶瓷罩。如使用状态参考图所示，作为晶片处理用加热器单元一部分的陶瓷罩，在腔室内与喷头相对地配置。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.其它：后视图、左视图分别与主视图、右视图对称，故省略后视图和左视图。

公开(公告)号：CN301411498S

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201030217460.2

申请日：2010-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 川崎裕雄 ,  长冈秀树

Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器单元。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理的腔室内的用于处理晶片的加热器单元。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置，该喷头作为电极与高频电源连接。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.其它：后视图与主视图对称，故省略后视图。

公开(公告)号：CN301376278S

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200930389507.0

申请日：2009-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器单元。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理的腔室内的用于处理晶片的加热器单元。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置，该喷头作为电极与高频电源连接。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。

公开(公告)号：CN301411499S

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201030217489.0

申请日：2010-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 川崎裕雄 ,  长冈秀树

Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器单元。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理的腔室内的用于处理晶片的加热器单元。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置，该喷头作为电极与高频电源连接。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.其它：后视图与主视图对称，故省略后视图。

公开(公告)号：CN301376277S

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200930389505.1

申请日：2009-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器单元。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理的腔室内的用于处理晶片的加热器单元。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置，该喷头作为电极与高频电源连接。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。

公开(公告)号：CN301376274S

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200930389502.8

申请日：2009-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器。2.用途：本产品用于在使用等离子体对晶片进行处理时对晶片进行加热。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.本产品的石英部件是透明的，因此从外面能够看到收容于内部的加热元件。参考图1和参考图2中用斜线表示透明部分。