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    减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置
    21.
    发明授权
    减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN100485859C

    公开(公告)日：2009-05-06

    申请号：CN200410057032.1

    申请日：2004-08-25

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  中山博之

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

    Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。

    静电吸盘
    22.
    发明授权
    静电吸盘 失效

    公开(公告)号：CN1310303C

    公开(公告)日：2007-04-11

    申请号：CN200410096922.3

    申请日：2004-12-06

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 西本伸也 ,  中山博之 ,  木村英利

    IPC: H01L21/68 ,  B23Q3/15

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

    Abstract: 本发明涉及一种使用静电力吸附晶片W的静电吸盘(16)静电吸盘(16)具有与晶片W相接触的多个突起部(16C)，并且，由包含平均粒径为1～2μm的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体(16A)构成突起部(16C)，同时，使突起部(16C)的与晶片W接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ra 0.2～0.3μm。由此，消除专利文献1中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片W跳起的顾虑。而且，解决专利文献2中所记述的静电吸盘的难以对晶片W面内温度均匀地进行控制的问题。

    处理装置
    23.
    发明授权
    处理装置 失效

    公开(公告)号：CN1310285C

    公开(公告)日：2007-04-11

    申请号：CN200410038016.8

    申请日：2004-05-12

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

    Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

    真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件
    27.
    发明公开
    真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件 失效

    公开(公告)号：CN1684236A

    公开(公告)日：2005-10-19

    申请号：CN200510060171.4

    申请日：2005-03-29

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

    IPC: H01L21/3065 ,  F04B37/10 ,  F04B37/14 ,  G01N15/00 ,  C03C4/00

    Abstract: 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的真空装置及其颗粒监控方法、程序和颗粒监控用窗口部件。半导体制造装置(1000)具备用于对晶片实施制品化处理的处理室(100)。处理室(100)上部连接有设置了阀门(120)、用于导入清洗气体的吸气管线，在下部连接有设置了阀门a的预抽管线(200)。预抽管线(200)上设置有：排出处理室(100)内的气体的干式泵(220)、在阀门a和干式泵(220)之间监控颗粒的颗粒监控装置(210)。半导体制造装置(1000)通过打开阀门(120)，供给清洗气体，将冲击波所产生的物理性振动赋予处理室(100)内，使沉积物剥离，监控颗粒。

    静电吸盘
    28.
    发明公开
    静电吸盘 失效

    公开(公告)号：CN1624892A

    公开(公告)日：2005-06-08

    申请号：CN200410096922.3

    申请日：2004-12-06

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 西本伸也 ,  中山博之 ,  木村英利

    IPC: H01L21/68 ,  B23Q3/15

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

    Abstract: 本发明涉及一种使用静电力吸附晶片W的静电吸盘16，静电吸盘16具有与晶片W相接触的多个突起部16C，并且，由包含平均粒径为1～2μm的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体16A构成突起部16，同时，使突起部16C的与晶片W接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ra 0.2～0.3μm。由此，消除专利文献1中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片W跳起的顾虑。而且，解决专利文献2中所记述的静电吸盘的难以对晶片W面内温度均匀地进行控制的问题。

    检查装置和检查方法
    29.
    发明公开
    检查装置和检查方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119213539A

    公开(公告)日：2024-12-27

    申请号：CN202380041351.4

    申请日：2023-05-18

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中山博之

    IPC: H01L21/66

    Abstract: 本发明提供一种检查装置，其用于对检查对象器件进行检查，所述检查对象器件是背面照射型的拍摄器件，形成于检查对象体，光能够从所述拍摄器件的作为设置有配线层的一侧的相反侧的面的背面入射至该拍摄器件，该检查装置包括载置台，该载置台以与所述拍摄器件的所述背面相对的方式支承所述检查对象体，所述载置台具有：用于载置所述检查对象体的透明的载置面；和配置在所述载置面的下方的照射部，该照射部向载置于该载置面的所述检查对象体照射光，所述照射部具有：导光板，其具有隔着所述载置面与所述检查对象体相对的相对面；和光源部，其设置在所述导光板的侧方外侧的区域，能够向所述导光板的侧端面出射光，所述导光板将从所述光源部出射并从所述导光板的侧端面入射的光从所述相对面向所述载置面出射，所述载置台还具有光学部件，该光学部件使从所述导光板的所述相对面向载置于所述载置面的所述检查对象体去的光透过，所述光学部件被划分为多个区域，构成为能够按每个所述区域改变透光率。

    检查装置和检查装置的控制方法
    30.
    发明公开
    检查装置和检查装置的控制方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113948417A

    公开(公告)日：2022-01-18

    申请号：CN202110774058.1

    申请日：2021-07-08

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中山博之

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

    Abstract: 本发明提供一种提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。本发明的检查装置包括：用于载置具有被检查体的基板的载置台；具有对所述被检查体供给电流的探针的探针卡；照射光来加热所述基板的光照射机构；和所述控制部执行如下步骤：利用来自所述光照射机构的光均匀地加热所述被检查体的步骤；和利用来自所述光照射机构的光加热所述被检查体的外周部的步骤。

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