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公开(公告)号：CN105428195B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510578768.1
申请日：2015-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/06 , C23C4/105 , C23C4/11 , C23C4/127 , C23C4/131 , C23C28/042
Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4％以下，该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。
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公开(公告)号：CN101153407B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710141839.7
申请日：2007-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C25D11/04 , H01L21/02 , H01L21/08 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种基板处理装置用的部件的保护膜形成方法，其能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。首先，将表面裸露有铝基材(56)的散热板(36)连接于直流电源的阳极，浸渍于草酸溶液中，氧化散热板(36)的表面(步骤S61)，接着，将表面形成有防蚀铝保护膜(57)的散热板(36)浸渍在沸水中5～10分钟(步骤S62)。
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公开(公告)号：CN101510501A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910000286.2
申请日：2009-01-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 三桥康至
CPC classification number: C25D11/24 , C25D11/005 , C25D11/246 , C25D21/02 , Y10T428/162 , Y10T428/218
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置用的部件和皮膜形成方法，能够可靠地防止因防蚀铝皮膜的破损而引起的颗粒的产生。作为对晶片(W)实施等离子体处理的基板处理装置(10)的部件的冷却板(36)包括：以在铝中含有硅的合金为主要成分的铝基材(56)；和通过使冷却板(36)与电源的阳极连接并且在以草酸为主要成分的溶液中进行浸渍的阳极氧化处理而在铝基材(56)的表面形成的防蚀铝皮膜(57)，该防蚀铝皮膜(57)含浸有硅酸乙酯。
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公开(公告)号：CN100367446C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03822080.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。
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公开(公告)号：CN1790615A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510117786.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682345A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822376.7
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体加工系统的改进的波纹管罩，其中结合到基底座电极的该波纹管罩的设计和制作通过实质使波纹管罩的侵蚀最小化从而有利地对波纹管提供了保护。
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公开(公告)号：CN1682339A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822079.2
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32431
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的一种改进的挡板，其中挡板的设计和制作在工艺空间内方便地提供了一个均匀的工艺等离子体，以及基本上最小地腐蚀挡板。
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公开(公告)号：CN1511197A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02810599.0
申请日：2002-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C4/02 , C23C26/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , C23C4/02
Abstract: 在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材(101)的表面形成氧化处理层(111)后，在该氧化处理层(111)之上，形成热喷涂层(121)。
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公开(公告)号：CN1445826A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119377.3
申请日：2003-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/04 , B24C1/003 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a)；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b)；接着，通过采用CO2鼓风装置(105)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物，和缓冲板(14)浸入纯水(104)，并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。
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公开(公告)号：CN100555550C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN03823245.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种用于等离子加工系统的改进的上电极，其中，与上组件耦合的电极板的设计和制造可以在基本上对电极板造成最小腐蚀的条件下便利地提供加工气体的气体注入。
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