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公开(公告)号：CN116314315A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211021.7
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层；肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括形成于所述GaN层内的p+掺杂区和形成于所述p+掺杂区内的n+掺杂区，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述GaN层上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。
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公开(公告)号：CN115553982A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211027158.9
申请日：2022-08-25
Applicant: 复旦大学附属华山医院
IPC: A61F2/42
Abstract: 一种距骨假体及解剖型踝关节假体距骨组件，其中，距骨假体包括距骨假体本体，其顶面分为内侧球形弧面和外侧球形弧面，内侧球形弧面的曲率半径大于外侧球形弧面的曲率半径，内侧球形弧面的曲率半径沿从前往后的方向连续变小，底面为平面，内侧面和外侧面均为垂直于底面的平面且两者呈夹角设置，距骨假体可以使患者的踝关节在术后更好地恢复活动功能，实现三个平面的运动，而非单纯的背伸跖屈运动，更符合亚洲人踝关节距骨穹隆面的解剖学特点。距骨组件包括距骨假体及倾斜连接在底面的内锚定件和外锚定件，内锚定件和外锚定件用于插入距骨颈后方，可以增加距骨假体安装后的初期稳定性，减少对距骨血供的影响，降低安装后距骨骨坏死情况的发生。
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公开(公告)号：CN115548094A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211255239.4
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管，该晶体管包括：衬底，以及沿远离所述衬底方向形成于所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN层；其中，所述p‑GaN层包括第一p‑GaN层以及第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于栅极区域；所述第二p‑GaN层形成于非栅极区域；源极、漏极以及栅极，所述源极、所述栅极以及所述漏极分别形成于所述p‑GaN层上的源区、所述栅极区域以及漏区；所述栅极包括所述第一p‑GaN层以及形成于所述第一p‑GaN层顶端的栅金属层；以及钝化层，其中，所述第一p‑GaN层包括钝化了的Mg离子；以使得所述栅极在零栅压时不导通。该技术方案解决了如何避免第一p‑GaN层的刻蚀损伤的问题。
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公开(公告)号：CN115547830A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211255255.3
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓集成电路的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成沟道层和势垒层；在势垒层表面沉积硬掩模；刻蚀硬掩模以在硬掩模上形成开孔；在开孔内外延p‑GaN层；在势垒层表面分别沉积金属材料并退火以形成源极和漏极；形成p‑GaN栅极；在p‑GaN栅极的顶端沉积钝化层；形成源极金属互连层与金属场板；源极金属互连层形成于源极的顶端，金属场板形成于p‑GaN栅极的顶端的钝化层的表面；金属场板与源极金属互连层连接；形成漏极金属互连层与栅极金属互连层。本发明提供的技术方案，通过选取外延p‑GaN的方法，有效避免了p‑GaN层的刻蚀工艺导致器件损伤的问题，实现了提升器件输出电流、降低动态导通电阻及提高功率管及栅驱动单元的可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN113517402B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110677821.9
申请日：2021-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了双向阈值对称的选通器，所述双向阈值对称的选通器包括衬底、第一银电极、阻变层和第二银电极，阻变层的组成材料为有机无机杂化钙钛矿，选通器采用了平面对称的双电极结构，在电压刺激下，保证了选通器的第一银电极和第二银电极均能够提供足够的银源，有利于获得双向阈值对称的选通特性，结构简单。本发明还提供了所述双向阈值对称的选通器的制备方法，包括通过真空热蒸发工艺，在衬底的顶面上沉积第一银电极和第二银电极，通过紫外臭氧设备处理沉积有第一银电极和第二银电极的衬底，配制有机无机杂化钙钛矿溶液，通过旋涂工艺对有机无机杂化钙钛矿溶液进行旋涂，形成钙钛矿薄膜。所述双向阈值对称的选通器的制备方法简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115153954A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210671994.4
申请日：2022-06-15
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院(上海市青浦区中心医院)
Abstract: 本发明公开了一种用于主髂动脉的分体式覆膜支架，包括双侧髂动脉支架和主动脉支架，双侧髂动脉支架固定于主动脉支架内，双侧髂动脉支架包括髂动脉支架短支和髂动脉支架长支，髂动脉支架短支一端的一侧和髂动脉支架长支一端的一侧贴合，髂动脉支架短支和髂动脉支架长支贴合部分的一端位于主动脉支架内，髂动脉支架短支和髂动脉支架长支贴合部分的端面位于同一平面上；髂动脉支架短支和髂动脉支架长支的另一端之间形成夹角，夹角的角度为25度～35度。本发明适用于动脉粥样硬化引起的慢性主动脉‑髂总动脉狭窄闭塞的腔内治疗方法，预防术后通畅率不佳，减少或避免支架置入术后引起血栓、支架压迫闭塞、移位等并发症发生。
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公开(公告)号：CN115132912A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210879903.6
申请日：2022-07-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结金属层镀膜方法。该方法包括以下步骤：将待镀膜对象移动至工艺腔内；将工艺腔的温度调整至第一温度，对对象进行镀膜；将工艺腔的温度调整至第二温度，并在工艺腔内对对象进行退火，第二温度大于第一温度。本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法通过在第一温度的环境下对对象进行金属层的沉积镀膜，同时通过比第一温度高的第二温度、并在进行沉积的工艺腔内对沉积后的对象进行退火，即对对象进行原位退火，无需移动对象的位置，能够抑制丘状结构的形成和减少球状结构的体积，且能够改善形成的薄膜表面的纹理结构，降低薄膜的方块电阻，达到提升均匀度、降低粗糙度的目的。
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公开(公告)号：CN115112499A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110300962.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 复旦大学附属华山医院
Abstract: 本发明提供了一种加载测试台及足踝创伤造模瞬态测控分析系统，其中，加载测试台具有这样的特征，包括机架部，包括底部机架、承载平台、多个导向立柱、限位套组、顶部平台，底部机架置于水平面上；加载部，包括旋转平台、旋转测控部、足部夹持工装、胫骨夹持工装、压力传感单元、下压平台以及直动液压执行器，旋转测控部用于带动旋转平台进行旋转以及收集并输出相应信息，直动液压执行器用于带动下压平台上下滑动；以及液压动力部，包括直线控制模块、恒压油源模块以及旋转控制模块，直线控制模块用于控制下压平台的上下滑动，旋转控制模块用于控制旋转平台的旋转运动，恒压油源模块用于通过液压技术来控制直线控制模块以及旋转控制模块。
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公开(公告)号：CN115064442A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210582245.4
申请日：2022-05-26
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种FinFET底部介质隔离的制备方法，用于对鳍式场效应晶体管的衬底与鳍片之间进行隔离，以此抑制和消除sub‑Fin体泄漏电流以及寄生电容。该方法包括：S1：提供一衬底，并在衬底上形成鳍片；S2：在所述鳍片上淀积第一掩模层，所述第一掩模层包裹所述鳍片的顶面和侧面；S3：以所述第一掩模层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，以在所述鳍片下方的衬底中形成一目标区域；S4：对所述目标区域进行热氧化处理，使得所述目标区域以及目标区域下方的部分衬底形成氧化隔离层。
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公开(公告)号：CN115020407A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210751556.9
申请日：2022-06-29
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种用于GAA器件的沟道结构，包括：衬底；形成于所述衬底上的第一区域的第一应力结构层；以及沟道叠层；所述沟道叠层形成于所述第一应力结构层和所述衬底的第二区域上；其中，所述第一区域为用于形成NMOS器件的区域，所述第二区域为用于形成PMOS器件的区域；所述第一应力结构层用于提供第一区域的所述沟道叠层所需的应力。解决了NMOS器件的区域的源区和漏区难以提供沟道叠层所需的高应力的问题，实现了NMOS器件的区域的应力提供的成功率提高的效果。
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