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公开(公告)号：CN111613523A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010431522.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，包括如下步骤：A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；D、重复步骤B和C，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；E、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。本发明通过在原子层沉积的反应过程中，在反应腔体里引入氟基等离子体来实现。氟基等离子体可以用以修补高介电栅介质的氧缺陷从而有效的减少界面态及减少漏电流，提高栅介质的介电常数。
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公开(公告)号：CN111613400A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010393189.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，Mg2V2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能，将五氧化二钒中﹢5价钒，降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率，调节薄膜中不同成分的比例，同时还可调节薄膜电阻升降温热滞，以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法，本发明制备薄膜更简单，快捷，高效，且兼容各种衬底；制备出的NTC薄膜不需要高温退火，结晶状况良好；且在室温条件下具有电阻温度系数高，热滞宽度小，薄膜电阻率低，材料常数高等特点。
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公开(公告)号：CN110244520A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910429757.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法，包括：硅片涂胶步骤：在硅片表面进行涂布电子束光刻胶；电子束曝光显影步骤：对涂布有电子束光刻胶的硅片进行两次直写曝光并显影，得到至少两个相互垂直交叠的矩形图案；热回流步骤：对显影后的硅片进行加热；刻蚀步骤：对热回流后的硅片进行刻蚀。本发明通过使用电子束曝光临近效应以及热回流的方法，将制作纳米柱转化为直写光栅，使直写1mm2图形时间降低到20分钟，降为原来的1/80，极大地提高了图形直写效率。
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公开(公告)号：CN101654712A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910308163.5
申请日：2009-10-10
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种生物技术领域的核酸单分子测序方法，包括如下步骤：分别检测脱氧腺苷5’一磷酸、脱氧鸟苷5’一磷酸、脱氧胞苷5’一磷酸、脱氧胸苷5’一磷酸、甲基化脱氧胞苷5’一磷酸、腺苷一5’磷酸、鸟苷5’一磷酸、胞苷5’一磷酸和尿苷5’一磷酸的拉曼光谱信号，建立标准曲线；利用外切酶酶切待测核酸分子，检测酶切后产物通过零模波导时受激光激发而发射的拉曼光谱信号；根据步骤一所得标准曲线，将步骤二所得拉曼光谱信号转换为具体的核苷酸，结合外切酶的切割方向，获得待测核酸分子的具体序列。利用本发明的方法，可以直接测定无标记的天然核酸序列，测定速度快、测定质量高、测定费用低。
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公开(公告)号：CN101499788A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910046337.5
申请日：2009-02-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03K3/037 , H03K17/687 , H03K5/13 , H03K19/0948
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路技术领域的抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的D触发器，包括两个多路开关、两个延迟电路、两个保护门电路和三个反相器。多路开关用于构成锁存数据的反馈环。延迟电路用于产生延迟形式的信号。保护门电路用于过滤输入信号上的电压瞬态波动。在D触发器的反馈环中，数据输入信号D和它被延迟的形式一起进入保护门电路，保护门电路输出的信号过滤了数据输入信号D上的宽度不大于延迟电路延迟的电压瞬态波动。本发明能应用在需要较高抗辐射性能的应用场合，使D触发器的抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲性能达到和时间采样D触发器同样的水平，同时单元面积增加少于时间采样D触发器且工作速度优于时间采样D触发器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101962A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710044225.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的基于镓掺杂Ga3Sb8Te1相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括：硅衬底、上下电极、加热层、相变材料和绝缘介质层，所述相变材料为硫系化合物Ga3Sb8Te1。方法如下：在硅衬底上淀积一层下电极材料，形成下电极；在下电极材料上淀积第一绝缘介质层，再通过纳米压印光刻和干法刻蚀技术在第一绝缘介质层中央刻出小孔；在小孔内填充加热层，然后进行化学机械抛光；再在加热层上沉积第二绝缘介质层，然后再通过纳米压印光刻和干法刻蚀技术在第二绝缘介质层上刻出沟槽，沟槽内沉积一层Ga3Sb8Te1相变材料，然后化学机械抛光；最后淀积一层上电极材料，形成上电极。本发明能使相变存储单元功耗至少降低10％。
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公开(公告)号：CN114594548B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210295252.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器，包括硅衬底、氮化硅波导结构、硅波导结构、连接梁结构以及悬臂梁结构；悬臂梁结构连接设置在连接梁结构上，连接梁结构连接设置在硅衬底上；硅衬底设置有衬底槽，悬壁梁结构悬于衬底槽的上方；氮化硅波导结构和硅波导结构设置在悬壁梁结构内，氮化硅波导结构位于硅波导结构的上方；氮化硅波导结构的一端设置在耦合端面处，硅波导结构的一端与耦合端面间隔设置；氮化硅波导结构为亚波长光栅氮化硅波导结构，硅波导结构为亚波长光栅倒锥硅波导结构。本发明提高了端面耦合器的耦合效率，降低了耦合器的偏振敏感性。
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公开(公告)号：CN115449759A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239950.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
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公开(公告)号：CN114578487A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210160444.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种集成有底部反射层的、垂直耦合的二元闪耀亚波长光栅耦合器，自上而下的薄膜功能层、键合层、底部反射层和衬底层。功能层为脊型结构，包括输入/出光栅耦合器、光子波导器件区域。输入/出光栅耦合器呈对称分布内设置有周期性排布的二元闪耀亚波长结构的光栅阵列，每个周期中设置有一个不同宽度的主级和次级亚波长光栅，相邻亚波长光栅之间形成宽度不一的间隔槽，最后一个次级亚波长光栅与中间的光波导区域相临近。降低器件复杂度的同时优化设计以实现最大光耦合效率，额外设置了底部反射层来防止光线向底部泄露，光纤和光栅之间所采用的完全垂直耦合方式还便于器件的测试和芯片的封装，结构较紧凑、制备工艺简单、可重复性好。
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