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公开(公告)号：CN101101962A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710044225.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的基于镓掺杂Ga3Sb8Te1相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括：硅衬底、上下电极、加热层、相变材料和绝缘介质层，所述相变材料为硫系化合物Ga3Sb8Te1。方法如下：在硅衬底上淀积一层下电极材料，形成下电极；在下电极材料上淀积第一绝缘介质层，再通过纳米压印光刻和干法刻蚀技术在第一绝缘介质层中央刻出小孔；在小孔内填充加热层，然后进行化学机械抛光；再在加热层上沉积第二绝缘介质层，然后再通过纳米压印光刻和干法刻蚀技术在第二绝缘介质层上刻出沟槽，沟槽内沉积一层Ga3Sb8Te1相变材料，然后化学机械抛光；最后淀积一层上电极材料，形成上电极。本发明能使相变存储单元功耗至少降低10％。
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