用于估计电装置的损坏程度的方法、装置和系统

    公开(公告)号:CN107710085B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN201680036925.9

    申请日:2016-06-14

    Abstract: 本发明涉及一种用于估计电装置的损坏程度的方法。该方法包括以下步骤:‑形成与被执行损坏程度估计的电装置有关的工作周期的直方图;‑将所形成的直方图与直方图集的直方图或与所述直方图集的直方图组合进行比较,以确定与所形成的直方图最接近的所述直方图集的直方图或直方图组合,该直方图集的各直方图与损坏程度关联;以及‑根据最接近的直方图的损坏程度或根据最接近的直方图组合的直方图的损坏程度确定该电装置的损坏程度的估计。

    多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法

    公开(公告)号:CN110446910A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201880014558.1

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明涉及一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法,多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动多晶片功率模块的晶片。多晶片温度控制:-在多晶片功率模块的晶片当中的一个晶片不导通时获得表示该一个晶片的温度的信号,-在多晶片功率模块的所有晶片不导通时获得表示取决于所有晶片的温度的参考温度的信号,-将表示一个晶片的温度的信号与表示参考温度的信号进行比较,-根据比较结果减少晶片的导通时间的持续时间或减少多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。

    用于控制多芯片功率模块的健康的方法和多芯片健康监测装置

    公开(公告)号:CN110431430A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201880018131.9

    申请日:2018-03-07

    Abstract: 一种多芯片健康监测装置(10):-在由芯片群(17a、17b)提供给负载(Mo)的给定电流处,将芯片中的一个芯片设置为非导通状态(NCS);-当该芯片处于NCS时,获得表示该芯片的温度的信号并确定该芯片的温度;-当该芯片处于NCS时,获得表示该芯片的接通状态电压(OSV)的信号并确定该芯片的OSV;-在多芯片健康监测装置(10)的存储器中存储的表中取得与该给定电流和该芯片的所确定温度对应的OSV;-如果该芯片的所确定OSV与所取得的OSV之间的差高于预定值,则通知需要更换该多芯片功率模块(15)。

    包括含有由液冷系统冷却的至少一个功率管芯的至少一个功率模块的系统

    公开(公告)号:CN109155297A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780026696.7

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 本发明涉及一种包括至少一个功率模块的系统,所述至少一个功率模块包括由液冷系统冷却的至少一个功率管芯,所述液冷系统被设置成向功率模块的各个功率管芯提供至少一个电位,其特征在于,液冷系统由通过不导电管道连接在一起的第一载流条和第二载流条构成,第一载流条位于功率模块的顶部并向功率管芯提供第一电位,而第二载流条位于功率模块的底部并向功率管芯提供第二电位,并且液体冷却剂导电,并且通道表面被电绝缘层覆盖。

    用于允许恢复电源模块的管芯的互连部的系统

    公开(公告)号:CN111373529B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN201880071612.6

    申请日:2018-10-31

    Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的第一互连部的系统,该第一互连部将管芯连接到电路。该系统包括:电源模块的至少一个另一互连部;周期性电流源,该周期性电流源连接到所述至少一个另一互连部,用于产生流过所述至少一个另一互连部的周期性电流,以在预定持续时间期间在第一互连部的至少一部分中达到预定温度。本发明还涉及相关联的方法。

    用于监测多晶片功率的装置及方法

    公开(公告)号:CN111919129B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201980022315.7

    申请日:2019-01-31

    Inventor: J·万楚克

    Abstract: 本发明涉及一种用于监测包括处于半桥开关配置中的晶片的多晶片功率模块(15)的方法及装置(10)。本发明:‑将晶片设置为非导通状态,‑选择阻断电压的一个晶片,‑在被选晶片的栅极中注入电流,以对被选晶片的输入寄生电容进行充电,‑监测代表被选晶片的栅极电压的电压,‑当所监测的电压的值稳定时,存储所监测的电压的值。

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