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公开(公告)号：CN102598220B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201080047541.X
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/02057
Abstract: 含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN102150242B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200980135121.4
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN102598220A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080047541.X
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/02057
Abstract: 含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN102575360A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044583.8
申请日：2010-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: B81C1/0092 , C09K13/00 , C23G1/26 , H01L21/02057
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102484056A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080035064.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , B81C1/00928
Abstract: 本发明提供能够抑制半导体装置或微机械等金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。本发明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亚烷基醚磷酸酯的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、和使用其的金属微细结构体的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101331811B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200680047115.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H05K3/26 , C11D3/3947 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H05K3/0041 , H05K3/388 , H05K2203/0796 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供了一种含有氧化剂和唑系化合物、且pH为1-7的用于除去配线基板的残渣的组合物，以及使用该组合物除去干刻后的配线基板的残渣的配线基板的洗涤方法。通过使用本发明的用于除去残渣的组合物，在制备配线基板时不会腐蚀腐蚀性高的钛或钛合金，且可以有效除去来自干刻后残留的抗蚀剂或金属的残渣，特别是可以有效制备使用含有钛或钛合金的配线基板的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101331811A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047115.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H05K3/26 , C11D3/3947 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H05K3/0041 , H05K3/388 , H05K2203/0796 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供了一种含有氧化剂和唑系化合物、且pH为1－7的用于除去配线基板的残渣的组合物，以及使用该组合物除去干刻后的配线基板的残渣的配线基板的洗涤方法。通过使用本发明的用于除去残渣的组合物，在制备配线基板时不会腐蚀腐蚀性高的钛或钛合金，且可以有效除去来自干刻后残留的抗蚀剂或金属的残渣，特别是可以有效制备使用含有钛或钛合金的配线基板的半导体装置。
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公开(公告)号：CN113015823A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201980074655.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及抑制镍、锡、金和它们的合金的溶解、且能对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其包含：相对于蚀刻液的总质量为5～10.5质量％的(A)过氧化氢；相对于蚀刻液的总质量为0.3～6质量％的(B)硝酸；(C)任选具有取代基的、选自由三唑和四唑组成的组中的1种以上的含氮五元环化合物，所述取代基选自由碳数1～6的烷基、氨基、以及具有选自由碳数1～6的烷基和苯基组成的组中的取代基的取代氨基组成的组中的1种以上；以及(D)(d1)选自由碱金属氢氧化物、氨、胺和铵盐组成的组中的1种以上的pH调节剂、(d2)膦酸化合物或(d3)它们的组合。
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公开(公告)号：CN110462103A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880021257.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及压延铜箔的制造方法、压延铜箔的表面处理方法以及压延铜箔用表面处理液。本发明中，使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。根据本发明的优选方式，可以将压延铜箔表面平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑。
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公开(公告)号：CN103098179B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201180043414.7
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00 , C11D7/32 , H01L21/308
CPC classification number: G03F7/40 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C1/00849 , H01L21/0206 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由多晶硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的微细结构体的制造方法，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14和碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物中的至少一种及水。
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