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公开(公告)号：CN102575360A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044583.8
申请日：2010-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: B81C1/0092 , C09K13/00 , C23G1/26 , H01L21/02057
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102484056A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080035064.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , B81C1/00928
Abstract: 本发明提供能够抑制半导体装置或微机械等金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。本发明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亚烷基醚磷酸酯的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、和使用其的金属微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN101253605A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031456.8
申请日：2006-09-05
Applicant: 索尼公司 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/02063 , H01L21/76814 , H01L21/76883 , Y10S438/906
Abstract: 提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法，其特征在于，该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三(3－氨丙基)胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层的导电材料，通过本发明的洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，可以有选择性地、高效地除去含有金属化合物的蚀刻残渣或研磨残渣。从而，导电层为配线时，可以防止因金属化合物的残留引起的配线的高电阻化的同时，防止因金属从金属化合物扩散到绝缘膜上引起的漏电流的增加。因此，可以提高配线可靠性，并且可以提高半导体装置的成品率。
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公开(公告)号：CN103119693B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180040397.1
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/28 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/401 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02068 , H01L21/28079 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/66545
Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102640264B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080047543.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/02057 , B81B2203/0109 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/31111
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法，所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102160151B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980137077.0
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02063 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN102575360B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201080044583.8
申请日：2010-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: B81C1/0092 , C09K13/00 , C23G1/26 , H01L21/02057
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102160151A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137077.0
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02063 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN101755324A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880100170.X
申请日：2008-07-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/34 , C23G1/04 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: C23G1/103 , C11D3/0073 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/06 , H01L21/02063 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。
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公开(公告)号：CN1526807A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
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