公开(公告)号：CN112151348A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010607960.X

申请日：2020-06-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具滋明 ,  安宗焕 ,  朴君昊 ,  赵台勋 ,  桑特·阿雷克赖恩

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。

公开(公告)号：CN111988008A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010434951.5

申请日：2020-05-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： O·噶尔斯特延 ,  成晓星 ,  全炳建 ,  安宗焕

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H01J37/32

Abstract: 公开了一种基板处理设备。基板处理设备可包括：腔室，在腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于将基板支撑在处理空间中；加热器电源，其用于向支撑单元中的加热器施加电力；以及高频电源，用于将高频电力施加到支撑单元中的下部电极；以及滤波器单元，其安装在用于将加热器电源与加热器连接的线路处以防止高频流入。滤波器单元可包括：壳体；壳体中的一个或多个线圈；以及设置在壳体与线圈之间的调节构件。调节构件可以由非磁性材料制成。调节构件可以以预定间隔与线圈间隔开，并且与壳体的内壁间隔开或者与壳体的内壁接触。

公开(公告)号：CN111048388A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910957784.X

申请日：2019-10-10

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 肖特 ,  拉克尔 ,  言 ,  具滋明 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法，基板处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供基板处理空间；卡盘部件，设置于所述处理腔室内并支承基板；环部件，以围绕所述卡盘部件的方式提供；边缘电极，使与所述卡盘部件电绝缘的方式布置于所述环部件；边缘阻抗控制器，与所述边缘电极电连接并调节所述边缘电极的电位；以及耦合补偿器，连接于所述卡盘部件与所述边缘电极之间，并以能够抵消或调节所述卡盘部件与所述边缘电极之间的耦合的方式提供。

公开(公告)号：CN107665805B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201710627791.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具滋明 ,  南信祐 ,  安宗焕 ,  罗世源 ,  李俊虎 ,  具重谟

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。