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公开(公告)号：CN116265960A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211345917.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明公开了作为等离子体工艺设备的电缆长度选定方法及电缆长度选定装置，用于选定等离子体工艺设备的电力供应电缆的长度的方案，所述等离子体工艺设备通过几十MHz以上的RF频率的电力供应进行等离子体工艺。等离子体工艺设备的电缆长度选定方法包括：阻抗测定步骤，测定要适用的电源供应电缆的阻抗；电长度计算步骤，基于测定的阻抗计算电源供应电缆的电长度；以及电缆长度确定步骤，基于计算的电长度确定电源供应电缆的长度。等离子体工艺设备的电缆长度选定装置包括：阻抗测定部，测定要适用的电源供应电缆的阻抗；电长度计算部，基于测定的阻抗计算电源供应电缆的电长度；以及电缆选定部，基于电长度确定电源供应电缆。
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公开(公告)号：CN112151344B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010451032.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387127A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211727746.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供了一种基板加工装置。该基板加工装置可以包括：具有内部空间的腔室；在该内部空间中支承基板的支承单元；环单元，当从上方观察时，该环单元设置在该支承单元的边缘区域上；电连接至该环单元的阻抗控制单元、以控制该基板的边缘区域中的等离子体的流动或密度；设置在该环单元与该阻抗控制单元之间的滤波器单元。
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公开(公告)号：CN112151344A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010451032.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。
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公开(公告)号：CN112151348B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010607960.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。
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公开(公告)号：CN114446755A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111294651.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：处理室，其具有内部处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；气体供应单元，其将处理气体供应至处理空间中；和RF电源，其提供RF信号以将处理气体激发成等离子体状态，其中支撑单元包括：边缘环，其环绕基板；耦合环，其设置在边缘环下方并在其中包括电极；和线缆，其与电极连接，其中将线缆的端部接地。
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公开(公告)号：CN112151348A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010607960.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。
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