公开(公告)号：CN113571581B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

公开(公告)号：CN109427900B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810568075.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  朴台镇 ,  李钟旼 ,  金锡勋 ,  徐东灿 ,  柳廷昊 ,  成河圭 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

公开(公告)号：CN117253921A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310669149.8

申请日：2023-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  李商文 ,  金真范 ,  南勇准

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：在第一方向上延伸的下图案；第一阻挡结构，其在所述下图案上，并且包括至少一个第一阻挡膜，所述第一阻挡膜包括掺氧晶体硅膜；源极/漏极图案，其在所述第一阻挡结构上；以及栅极结构，其在所述下图案上在第二方向上延伸并且包括栅电极和栅极绝缘膜。还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN115566050A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210471876.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  金真范 ,  金孝珍 ,  南勇准 ,  郑秀珍

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。

公开(公告)号：CN115548017A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210637775.4

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳亥俊 ,  崔庆寅 ,  金成玟 ,  李承勋 ,  金真范

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括第一沟道和第二沟道、第一栅极结构和第二栅极结构、第一源/漏层和第二源/漏层、第一鳍间隔物和第二鳍间隔物、以及第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案。第一沟道竖直设置在衬底的第一区域上。第二沟道竖直设置在衬底的第二区域上。第一栅极结构形成在第一区域上并且覆盖第一沟道。第二栅极结构形成在第二区域上并且覆盖第二沟道。第一源/漏层和第二源/漏层分别接触第一沟道和第二沟道。第一鳍间隔物和第二鳍间隔物分别接触第一源/漏层和第二源/漏层的侧壁和上表面。第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案分别形成在第一鳍间隔物和第二鳍间隔物上，并且分别不接触第一源/漏层和第二源/漏层。

公开(公告)号：CN107068537B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

公开(公告)号：CN109427879A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811024895.7

申请日：2018-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金真范 ,  金奉秀 ,  李圭弼 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了包括二维材料的装置，所述装置包括：基底；第一电极，位于基底上；绝缘图案，位于基底上；第二电极，位于绝缘图案的上端上；二维(2D)材料层，位于绝缘图案的侧表面上；栅极绝缘层，覆盖2D材料层；以及栅电极，接触栅极绝缘层。绝缘图案在与基底基本垂直的方向上从第一电极延伸。2D材料层包括与绝缘图案的侧表面基本平行的至少一个原子层的2D材料。

公开(公告)号：CN118522716A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410180266.2

申请日：2024-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金真范 ,  李商文

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置包括：基板绝缘层；栅极结构，其在基板绝缘层上在一个方向上延伸；源极/漏极区域，其在栅极结构之外；以及背面接触插塞，其在源极/漏极区域下方以具有在水平方向上从源极/漏极区域的第一中心轴偏移的第二中心轴，并且连接到源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域包括：第一外延层，其以第一浓度包括非硅元素；以及第二外延层，其在第一外延层上并且以高于第一浓度的第二浓度包括非硅元素，并且背面接触插塞的上表面的至少一部分与第二外延层接触。

公开(公告)号：CN110137137B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201910103231.8

申请日：2019-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金东明 ,  金真范 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。

公开(公告)号：CN116895656A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310221219.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金孝珍 ,  南勇准 ,  李商文 ,  金东宇 ,  黄仁建

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。